特許
J-GLOBAL ID:201903014265253303
発光装置
発明者:
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出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2018-239539
公開番号(公開出願番号):特開2019-079818
出願日: 2018年12月21日
公開日(公表日): 2019年05月23日
要約:
【課題】同一基板上に複数種の回路を形成し、複数種の回路の特性にそれぞれ合わせた複数種の薄膜トランジスタを備えた発光装置を提供することを課題の一とする。【解決手段】画素用薄膜トランジスタとしてソース電極層及びドレイン電極層上に重なる酸化物半導体層を有する逆コプラナ型を用い、駆動回路用薄膜トランジスタとして、チャネルエッチ型を用い、画素用薄膜トランジスタと電気的に接続する発光素子と重なる位置にカラーフィルタ層を薄膜トランジスタと発光素子の間に設ける。【選択図】図4
請求項(抜粋):
第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、容量部と、カラーフィルタ層と、を有し、
前記第1のトランジスタは、第1の酸化物半導体層と、前記第1の酸化物半導体層と重なる第1のゲート電極と、を有し、
前記第2のトランジスタは、第2の酸化物半導体層と、前記第2の酸化物半導体層を挟んで上下に位置する第2のゲート電極及び第3のゲート電極と、を有し、
前記1のトランジスタは、前記第1の酸化物半導体層と電気的に接続される第1の電極層を介して、画素電極層と電気的に接続され、
前記画素電極層上に有機EL層が設けられ、
前記画素電極の下には前記カラーフィルタ層が設けられ、
前記第1のトランジスタは、前記カラーフィルタ層と重なる領域を有し、
前記第2のトランジスタは、前記カラーフィルタ層と重なる領域を有さず、
前記容量部の一方の電極は、前記第1の電極層と同一材料を有し、同一層に設けられる発光装置。
IPC (7件):
H05B 33/02
, H01L 51/50
, H05B 33/12
, H01L 27/32
, G02B 5/20
, G09F 9/30
, H01L 29/786
FI (10件):
H05B33/02
, H05B33/14 A
, H05B33/12 E
, H01L27/32
, G02B5/20 101
, G09F9/30 338
, G09F9/30 349A
, G09F9/30 365
, H01L29/78 618B
, H01L29/78 617N
Fターム (87件):
2H148BG06
, 3K107AA01
, 3K107BB01
, 3K107BB02
, 3K107CC21
, 3K107CC31
, 3K107EE04
, 3K107EE22
, 3K107HH05
, 5C094AA21
, 5C094AA31
, 5C094BA03
, 5C094BA27
, 5C094CA23
, 5C094DB04
, 5C094ED02
, 5C094FA04
, 5C094FB14
, 5F110AA08
, 5F110AA14
, 5F110AA22
, 5F110AA30
, 5F110BB02
, 5F110CC03
, 5F110CC07
, 5F110DD01
, 5F110DD02
, 5F110DD03
, 5F110DD04
, 5F110DD07
, 5F110DD13
, 5F110DD14
, 5F110DD15
, 5F110DD17
, 5F110EE02
, 5F110EE03
, 5F110EE04
, 5F110EE06
, 5F110EE07
, 5F110EE08
, 5F110EE30
, 5F110EE38
, 5F110FF02
, 5F110FF03
, 5F110FF04
, 5F110FF07
, 5F110FF09
, 5F110FF28
, 5F110FF30
, 5F110GG01
, 5F110GG13
, 5F110GG14
, 5F110GG15
, 5F110GG24
, 5F110GG25
, 5F110GG35
, 5F110GG43
, 5F110GG57
, 5F110GG58
, 5F110HJ30
, 5F110HK01
, 5F110HK02
, 5F110HK03
, 5F110HK04
, 5F110HK06
, 5F110HK07
, 5F110HK08
, 5F110HK21
, 5F110HK22
, 5F110HK32
, 5F110HK33
, 5F110HM17
, 5F110NN03
, 5F110NN04
, 5F110NN22
, 5F110NN23
, 5F110NN24
, 5F110NN34
, 5F110NN40
, 5F110NN44
, 5F110NN71
, 5F110NN72
, 5F110PP01
, 5F110PP02
, 5F110PP10
, 5F110PP13
, 5F110QQ06
引用特許:
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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半導体装置及びその作製方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2006-262991
出願人:株式会社半導体エネルギー研究所
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有機電界発光表示装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2004-109919
出願人:サムスンエレクトロニクスカンパニーリミテッド
-
半導体装置およびその作製方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平11-355205
出願人:株式会社半導体エネルギー研究所
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