特許
J-GLOBAL ID:201903017254936599
ダイヤモンド系通電構造、ダイヤモンド系電子部品、及びダイヤモンド系通電構造の製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2018-172239
公開番号(公開出願番号):特開2018-201045
出願日: 2018年09月14日
公開日(公表日): 2018年12月20日
要約:
【課題】簡易な製造工程で、様々な部位・部材に通電構造を形成可能にする。【解決手段】本発明の通電構造は、ダイヤモンド及び/又はアモルファスカーボンとなるダイヤモンド系材料を主成分とするダイヤモンド系領域20と、ダイヤモンド系領域20中に部分的に形成され、上記ダイヤモンド系材料よりもグラファイトの含有比率が高く、且つ、上記ダイヤモンド系材料よりも電気抵抗率が小さい導電性領域30と、を備えるようにした。【選択図】図1
請求項(抜粋):
ダイヤモンド及び/又はアモルファスカーボンとなるダイヤモンド系材料を主成分とするダイヤモンド系領域と、
上記ダイヤモンド系領域中に部分的に形成され、上記ダイヤモンド系材料よりもグラファイトの含有比率が高く、且つ、上記ダイヤモンド系材料よりも電気抵抗率が小さい導電性領域と、
を備える事を特徴とする、
ダイヤモンド系通電構造。
IPC (6件):
H01L 21/320
, H01L 21/768
, H01L 23/532
, H01L 21/28
, H05K 1/09
, H05K 3/10
FI (5件):
H01L21/88 M
, H01L21/88 B
, H01L21/28 301Z
, H05K1/09 A
, H05K3/10 C
Fターム (61件):
4E351AA06
, 4E351BB01
, 4E351BB32
, 4E351CC02
, 4E351CC03
, 4E351DD29
, 4E351GG20
, 4M104AA09
, 4M104BB36
, 4M104BB39
, 4M104BB40
, 4M104DD33
, 4M104DD34
, 4M104DD37
, 4M104DD43
, 4M104DD55
, 4M104DD79
, 4M104DD81
, 4M104EE02
, 4M104EE09
, 4M104EE14
, 4M104FF06
, 4M104FF11
, 4M104GG19
, 4M104HH09
, 4M104HH16
, 5E343AA22
, 5E343BB58
, 5E343DD25
, 5E343DD26
, 5E343ER42
, 5E343ER45
, 5E343GG11
, 5E343GG20
, 5F033GG03
, 5F033HH00
, 5F033LL01
, 5F033MM20
, 5F033MM21
, 5F033PP15
, 5F033PP35
, 5F033QQ59
, 5F033QQ62
, 5F033QQ65
, 5F033QQ74
, 5F033QQ81
, 5F033QQ83
, 5F033RR01
, 5F033RR03
, 5F033RR04
, 5F033SS07
, 5F033SS08
, 5F033SS10
, 5F033SS11
, 5F033SS15
, 5F033SS21
, 5F033SS24
, 5F033VV09
, 5F033VV10
, 5F033XX10
, 5F033XX12
引用特許:
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