特許
J-GLOBAL ID：201903017578920679
可変成形ビーム電子ビームリソグラフィにおける基本小パターンの較正
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人川口國際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-119507
公開番号（公開出願番号）：特開2019-009445
出願日： 2018年06月25日
公開日（公表日）： 2019年01月17日
要約：
【課題】可変成形ビーム電子ビームリソグラフィにおける基本小パターンの較正を提供する。【解決手段】可変成形ビーム電子ビームリソグラフィにおける基本パターンを較正する方法であって、以下のステップ:可変成形ビーム電子ビームリソグラフィにより、各々が名目臨界寸法(CD)を有する幾何学的図形を含む較正パターン(MCV)を生成するステップであって、前記図形が各々の前記名目臨界寸法よりも小さい寸法の基本パターンに分割されるステップと、各々の前記幾何学的図形の実際の臨界寸法を測定するステップと、このように決定された実際の臨界寸法に基づいて回帰法を適用して、前記基本パターンの寸法の変分、または前記寸法の変分と同等の効果を生じる前記基本パターンの露光線量の誤差のいずれかを、前記基本パターンの寸法の関数として表す数学モデルを構築するステップとを含む方法。可変成形ビーム電子ビームリソグラフィによりパターンを基板に転写する目的でデータの準備への適用。【選択図】図6C
請求項（抜粋）：
可変成形ビーム電子ビームリソグラフィにおける基本パターンを較正する方法であって、以下のステップ:
a.可変成形ビーム電子ビームリソグラフィにより、各々が名目臨界寸法(CD0)を有する幾何学的図形を含む少なくとも1個の較正パターン(MCO、MCH、MCV)を生成するステップであって、前記図形が各々の前記名目臨界寸法よりも小さい寸法の基本パターン(ME)に分割され、各々の幾何学的図形の前記基本パターンが同一の寸法を有し、他の幾何学的図形の基本パターンが異なる寸法を有するステップと、
b.各々の前記幾何学的図形の実際の臨界寸法(CDm)を測定するステップと、
c.このように決定された前記実際の臨界寸法に基づいて回帰法を適用して、
- 前記基本パターンの寸法の変分(ΔH、ΔW、ΔL)、または
- 前記寸法の変分と同等の効果を生じる前記基本パターンの露光線量の誤差のいずれかを、前記基本パターンの寸法(H0、W0、L0)の関数として表す数学モデルを構築するステップとを含む方法。
IPC (3件)：
H01L 21/027
, G03F 7/20
, H01J 37/305
H01L21/30 541R
, G03F7/20 504
, H01J37/305 B
5C034BB10
, 5F056AA04
, 5F056CA11
, 5F056CB03
, 5F056CC11
, 5F056CD06
