特許
J-GLOBAL ID：201903018063608202
シリコンウェーハの製造方法およびシリコンウェーハ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
杉村 憲司
, 川原 敬祐
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-042480
公開番号（公開出願番号）：特開2017-157796
特許番号：特許第6493253号
出願日： 2016年03月04日
公開日（公表日）： 2017年09月07日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 所定の方法で育成した単結晶シリコンインゴットの外周部にノッチ部を形成し、次いで前記単結晶シリコンインゴットに対してウェーハ加工処理を施した後、得られたシリコンウェーハに対して面取り処理、平坦化処理および研磨処理を行うシリコンウェーハの製造方法において、
最終の前記研磨処理後の段階での前記ノッチ部における面取り部のウェーハ径方向の幅を350μm以上450μm以下に調整し、最終の前記研磨処理後の段階での前記ノッチ部の深さと前記ノッチ部における面取り部のウェーハ径方向の幅との和を900μm以下に調整することを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/304 ( 200 6.01)
, B24B 9/00 ( 200 6.01)
, B24B 29/00 ( 200 6.01)
, B24B 37/08 ( 201 2.01)
H01L 21/304 621 E
, H01L 21/304 601 B
, H01L 21/304 622 Y
, H01L 21/304 621 A
, B24B 9/00 601 H
, B24B 29/00 N
, B24B 37/08
