特許
J-GLOBAL ID：201903018232452160

半導体装置および電気装置

発明者：
米原 健矢

米原 健矢 について

, 
清水 達雄

清水 達雄 について

, 
大野 浩志

大野 浩志 について

, 
加藤 大望

加藤 大望 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (5件)： 原 拓実 ,  柘 周作 ,  今野 徹 ,  沼尾 吉照 ,  手塚 史展
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-175268
公開番号（公開出願番号）：特開2019-075550
出願日： 2018年09月19日
公開日（公表日）： 2019年05月16日
要約：
【課題】本発明が解決しようとする課題は、閾値電圧を制御することが可能である半導体装置および電気装置を提供することにある。【解決手段】本発明の半導体装置は、窒化物半導体層と、第1のゲート電極と、前記窒化物半導体層上にある、ソース電極およびドレイン電極と、前記第1のゲート電極と前記窒化物半導体層の間にある第1の絶縁層と、 前記第1の絶縁層と前記第1のゲート電極の間にあり、隣接する層との間で電荷の発生を抑制する第1の導電体層と、前記第1のゲート電極と前記第1の導電体層の間にある第1の誘電体層と、前記第1のゲート電極と前記第1の誘電体層の間にある第2の誘電体層と、を備え、前記第1の誘電体層と前記第2の誘電体層の界面にダイポールを有する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
窒化物半導体層と、 第1のゲート電極と、 前記窒化物半導体層上にある、ソース電極およびドレイン電極と、 前記第1のゲート電極と前記窒化物半導体層の間にある第1の絶縁層と、
IPC (5件)：
H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/337 ,  H01L 29/808
FI (3件)：
H01L29/80 M ,  H01L29/80 H ,  H01L29/80 W
Fターム (15件)：
5F102GA01 ,  5F102GA14 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GC05 ,  5F102GD10 ,  5F102GL04 ,  5F102GL07 ,  5F102GM04 ,  5F102GN04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR04 ,  5F102GS02 ,  5F102GS04 ,  5F102HC01
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (5件)
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引用文献：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (1件)

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