特許
J-GLOBAL ID：200903012783942236

半導体装置の作製方法及び水素処理装置

発明者：
先崎 純寿

先崎 純寿 について

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福田 憲司

福田 憲司 について

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石橋 啓次

石橋 啓次 について


出願人/特許権者：
独立行政法人産業技術総合研究所

独立行政法人産業技術総合研究所 について

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アネルバ株式会社

アネルバ株式会社 について


代理人 (1件)： 小越 勇
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-091040
公開番号（公開出願番号）：特開2005-277253
出願日： 2004年03月26日
公開日（公表日）： 2005年10月06日
要約：
【要約書】【課題】 半導体基板上に形成された金属-絶縁膜又は酸化膜-半導体構造を有する半導体装置に対して、高温に加熱された熱触媒体表面での水素を含んだガスの熱触媒作用によって生成された活性化した水素を用いることにより、ゲート絶縁膜/半導体界面近傍に存在するダングリングボンドの水素終端を図り、界面準位密度を低減させる水素処理装置及びその作製方法を提供する。【解決手段】 半導体基板の近傍に熱触媒体を配置し、水素又は水素を含むガスを前記熱触媒体の近傍を通過させるようにして、加熱された熱触媒体表面での熱触媒作用により活性化した水素を生成させ、当該活性化した水素を前記半導体基板に供給することにより、低温にて上記ゲート絶縁膜と上記半導体界面の界面準位密度を低減させ、実際の使用に十分耐え得る良好なゲート絶縁膜/半導体界面を形成する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体基板上にゲート絶縁膜を形成する工程を含む半導体装置の作製方法において、半導体基板上にゲート絶縁膜を形成した工程の後に、水素又は水素を含むガスを前記半導体基板の近傍に配置した熱触媒体の近くに通過させて、該加熱された熱触媒体表面での熱触媒作用により活性化した水素を生成させ、当該活性化した水素を半導体基板に供給することを特徴とする半導体装置の作製方法。
IPC (4件)：
H01L29/78 ,  H01L21/316 ,  H01L21/322 ,  H01L21/324
FI (5件)：
H01L29/78 301G ,  H01L21/316 P ,  H01L21/322 Z ,  H01L21/324 G ,  H01L29/78 301F
Fターム (34件)：
5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BC08 ,  5F058BC11 ,  5F058BD04 ,  5F058BD10 ,  5F058BD15 ,  5F058BH02 ,  5F058BJ01 ,  5F140AA00 ,  5F140AC39 ,  5F140BA01 ,  5F140BA02 ,  5F140BA03 ,  5F140BA04 ,  5F140BA05 ,  5F140BA06 ,  5F140BA07 ,  5F140BA09 ,  5F140BA16 ,  5F140BD01 ,  5F140BD05 ,  5F140BD06 ,  5F140BD07 ,  5F140BD09 ,  5F140BD10 ,  5F140BD20 ,  5F140BE02 ,  5F140BE03 ,  5F140BE07 ,  5F140BE10 ,  5F140BE17 ,  5F140BF01 ,  5F140BF05
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (7件)
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