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J-GLOBAL ID：202002255422121890   整理番号：20A2244015

GaN-HEMTを適用したQuasi-Zソースインバータの負荷短絡事故保護を想定したインピーダンスソースの設計

Impedance Source Design for Load Short-circuit Fault Protection of GaN-HEMT Quasi-Z-source Inverter

著者 (4件)： 中山太智 (筑波大) ,  萬年智介 (筑波大) ,  中島昭 (筑波大) ,  磯部高範 (筑波大)
資料名： 電気学会研究会資料
号： SPC-20-107-116/MD-20-080-089 半導体電力変換研究会/モータドライブ研究会  ページ： 25-30  発行年： 2020年09月03日 
JST資料番号： Z0924B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 本論文は,準Zソースインバータ(qZSI)にGaN-HEMTを適用することを提案する。qZSIは,その貫通動作を利用して,GaN-HEMTの貧弱な短絡能力をカバーすることができる。qZSIの特徴に基づいて,本論文は短絡故障下を考慮した,qZSIのインピーダンス源設計について議論した,そしてその効果を実験によって確かめた。実験はqZSIの短絡回路能力を検証した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *HEMT ,  *インバータ ,  *インピーダンス ,  短絡【電気】
準シソーラス用語： *GaN HEMT ,  *Zソースインバータ ,  短絡回路 ,  短絡回路故障

分類 (1件)： 電力変換器  (NB08030B)

引用文献 (11件)：

• C. Abbate, G. Busatto, A. Sanseverino, D. Tedesco and F. Velardi, ”Failure analysis of 650 V enhancement mode GaN HEMT after short circuit tests,” Microelectronics Reliability, vol. 88, pp. 677-683,2018.
• J. Sun, H. Xu, X. Wu, and K. Sheng, ”Comparison and Analysis of Short Circuit Capability of 1200V Single-Chip SiC MOSFET and Si IGBT,” 2016 13th China International Forum on Solid State Lighting: International Forum on Wide Bandgap Semiconductors China, pp. 42-45,2016.
• R. Hou, J. Lu, and D. Chen, ”An Ultrafast Discrete Short-Circuit Protection Circuit for GaN HEMTs,” in 2018 IEEE Energy Conversion Congress and Exposition (ECCE), 2018, pp. 1920-1925.
• R. Hou and J. Lu, ”An Ultrafast Discrete Protection Circuit Utilizing Multi-Functional Dual-Gate Pads of GaN HEMTs,” in 2019 IEEE Energy Conversion Congress and Exposition (ECCE), 2019, pp. 818-823.
• O. S. Alemdar, F. Karakaya, and O. Keysan, ”PCB Layout Based Short-Circuit Protection Scheme for GaN HEMTs,” in 2019 IEEE Energy Conversion Congress and Exposition (ECCE), 2019, pp. 2212-2218.

タイトルに関連する用語 (7件)： GaN ,  HEMT ,  Zソースインバータ ,  短絡 ,  事故 ,  想定 ,  設計