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J-GLOBAL ID：202002276717169965   整理番号：20A0993453

電子ドープFeSe/LaAlO₃薄膜における超伝導特性のゲート電圧依存性

Gate voltage dependence of the superconducting properties of the electron-doped FeSe/LaAlO₃ films

著者 (4件)： 色摩直樹 (東大 大学院) ,  崎下雄稀 (東大 大学院) ,  鍋島冬樹 (東大 大学院) ,  前田京剛 (東大 大学院)
資料名： 日本物理学会講演概要集(CD-ROM)  (日本物理学会春季大会講演概要集(CD-ROM))
巻： 75  号： 1  ページ： ROMBUNNO.19aD20-7  発行年： 2020年03月23日 
JST資料番号： S0671C  ISSN： 2189-079X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 超伝導 ,  電圧 ,  *転移温度 ,  *インターカレーション ,  トランジスタ ,  *エッチング ,  電気抵抗 ,  温度依存性 ,  超伝導転移温度
準シソーラス用語： *ゲート電圧 ,  *超伝導特性 ,  *電気二重層トランジスタ

分類 (3件)： 金属系超伝導体の物性  (BM04022R) ,  試料技術  (BA02070O) ,  その他の表面処理  (WC08070F)

タイトルに関連する用語 (7件)： 電子 ,  ドープ ,  LaAlO3 ,  薄膜 ,  超伝導特性 ,  ゲート ,  電圧依存性