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J-GLOBAL ID:202002276914165532   整理番号:20A0377961

低基板温度下で作製した窒素含有ダイヤモンド状炭素/タングステンと窒素含有ダイヤモンド状炭素/炭化タングステン多層膜の電気抵抗率と機械的性質【JST・京大機械翻訳】

Electrical resistivity and mechanical properties of nitrogen-containing diamondlike carbon/tungsten and nitrogen-containing diamondlike carbon/tungsten carbide multilayer films prepared under low substrate temperature
著者 (12件):
資料名:
巻: 38  号:ページ: 011801-011801-7  発行年: 2020年 
JST資料番号: E0974A  ISSN: 2166-2746  CODEN: JVTBD9  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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窒素含有ダイヤモンド状炭素(N-DLC)膜は,高い耐摩耗性と低い電気抵抗率を有する優れた表面保護膜である。本論文では,N-DLC層間に形成された低電気抵抗層を有するN-DLC/タングステン(W)およびN-DLC/炭化タングステン(WC)多層膜を提示した。低基板温度での不平衡マグネトロンスパッタリング法を用いて,低電気抵抗層としてWまたはWC層を形成した。N-DLC層を,T-形状フィルタリングアーク蒸着法により作製した。N-DLC/WC多層膜はN-DLC単層膜と比較して高い研磨抵抗を示し,多層膜の電気抵抗率は単層膜と比較して約半分であった。多層膜の高い研磨抵抗は,硬い層として作用するWC層と,膜荷重を吸収するための緩衝層として作用するN-DLC層に起因すると考えられた。Copyright 2020 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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金属薄膜 

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