特許
J-GLOBAL ID：202003002443466882
高周波半導体増幅回路
発明者：
,
出願人/特許権者：
,
代理人 (7件)：
永井 浩之
, 中村 行孝
, 佐藤 泰和
, 朝倉 悟
, 関根 毅
, 赤岡 明
, 川崎 康
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-173002
公開番号（公開出願番号）：特開2018-042029
特許番号：特許第6623133号
出願日： 2016年09月05日
公開日（公表日）： 2018年03月15日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 SOI(Silicon On Insulator)基板上に配置され、高周波入力信号を増幅する第1トランジスタと、
前記SOI基板上に配置され、前記第1トランジスタにカスコード接続されてソース接地の第2トランジスタと、
前記SOI基板上に配置され、前記第1トランジスタのゲートを駆動する第1バイアス電圧と、前記第2トランジスタのオンまたはオフの切替を制御する制御電圧と、前記第1トランジスタのドレイン電圧を設定するのに用いられる第1電圧と、を生成するバイアス生成回路と、を備え、
前記バイアス生成回路は、
前記高周波入力信号を増幅して出力する第1モード時には、前記第2トランジスタがオンするように前記制御電圧を生成し、
前記高周波入力信号を増幅せずに出力する第2モード時には、前記第1電圧を接地電位とし、かつ前記第2トランジスタがオフするように前記制御電圧を生成し、かつ前記第1トランジスタが強反転状態になるように前記第1バイアス電圧を前記第1モード時よりも高電位に設定する、高周波半導体増幅回路。
IPC (3件)：
H03F 1/22 ( 200 6.01)
, H03F 3/193 ( 200 6.01)
, H03G 3/18 ( 200 6.01)
H03F 1/22
, H03F 3/193
, H03G 3/18 A
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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