フィールドプレートを有するGa2O3系トランジスタ

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (4件)：特許業務法人平田国際特許事務所 , 平田忠雄 , 遠藤和光 , 伊藤浩行
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-189802
公開番号（公開出願番号）：特開2017-069260
特許番号：特許第6653883号
出願日： 2015年09月28日
公開日（公表日）： 2017年04月06日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 Ga2O3系基板と、前記Ga2O3系基板上に形成されたGa2O3系結晶層と、前記Ga2O3系結晶層中に形成されたソース領域及びドレイン領域と、前記ソース領域及びドレイン領域にそれぞれ接続されたソース電極及びドレイン電極と、前記Ga2O3系結晶層の前記ソース領域とドレイン領域の間の領域上に形成されたゲート電極と、前記Ga2O3系結晶層上に形成された誘電体膜と、を有し、前記ゲート電極が、前記Ga2O3系結晶層上に誘電体膜を介して形成され、前記ゲート電極の底部のドレイン領域側の縁の真上の位置から前記ドレイン領域の方向へ延在するフィールドプレート部を含み、前記誘電体膜の厚さが0.2μm以上かつ0.8μm以下であり、かつ前記フィールドプレート部の延在方向の長さが2μm以上である、又は前記誘電体膜の厚さが0.2μm以上かつ0.4μm以下であり、かつ前記フィールドプレート部の延在方向の長さが1μm以上である、 Ga2O3系トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 21/336 ( 200 6.01) , H01L 29/78 ( 200 6.01) , H01L 29/06 ( 200 6.01)

FI (2件)：

H01L 29/78 301 B , H01L 29/06 301 F

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2013-127962 出願人：株式会社タムラ製作所, 独立行政法人情報通信研究機構
半導体装置および半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2012-199932 出願人：ルネサスエレクトロニクス株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2013-187764 出願人：株式会社東芝

全件表示

前のページに戻る