特許
J-GLOBAL ID：202003002681034737

強磁性積層膜および強磁性積層膜の製造方法ならびに電磁誘導性電子部品

発明者：
直江 正幸

直江 正幸 について


出願人/特許権者：
公益財団法人電磁材料研究所

公益財団法人電磁材料研究所 について


代理人 (1件)： 特許業務法人創成国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-154102
公開番号（公開出願番号）：特開2020-031084
出願日： 2018年08月20日
公開日（公表日）： 2020年02月27日
要約：
【課題】ナノグラニュラー構造を有する強磁性薄膜が奏する高透磁率化等の効果の増進を図りうる強磁性薄膜等を提供する。【解決手段】強磁性積層膜は、対をなす強磁性層11、12の間に絶縁層21が挟まれるように複数の強磁性層11、12および絶縁層21が積層されている構造を有する。強磁性層11、12が、一般式L1-a-bMaFbにより表わされる組成を有し、かつ、Lで表わされる平均粒径1〜20nmの磁性粒子がMのフッ化物からなる絶縁性マトリックスに均一に分布したナノグラニュラー構造を有している。Lは、Fe、CoおよびNiから選択される1種以上の元素(但しNiの単独は除く)である。MはLi、Mg、Al、Ca、Sr、Ba、GdおよびYから選択される1種以上の元素である。Fはフッ素である。0.03≦a≦0.07、0.06≦b≦0.18、0.10≦a+b≦0.24である。絶縁層が、一般式McFd(1≦c≦2、1≦d≦3)により表わされる組成を有している。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
対をなす強磁性層の間に絶縁層が挟まれるように複数の前記強磁性層および少なくとも1つの前記絶縁層が積層されている構造を有する強磁性積層膜であって、 前記強磁性層が、一般式L1-a-bMaFb(L:Fe、CoおよびNiから選択される1種以上の元素(但しNiの単独は除く)、または、Fe、CoおよびNiから選択される1種以上の強磁性元素と、PdおよびPtから選択される1種以上の貴金属元素との合金(当該合金における貴金属元素の原子比率は0.50以下である)、M:Li、Mg、Al、Ca、Sr、Ba、GdおよびYから選択される1種以上の元素、F:フッ素、0.03≦a≦0.07、0.06≦b≦0.18、0.10≦a+b≦0.24)により表わされる組成を有し、かつ、Lで表わされる平均粒径1〜20nmの磁性粒子がMのフッ化物からなる絶縁性マトリックスに均一に分布したナノグラニュラー構造を有し、 前記絶縁層が、一般式McFd(1≦c≦2、1≦d≦3)により表わされる組成を有していることを特徴とする強磁性積層膜。
IPC (4件)：
H01F 10/16 ,  H01F 41/18 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04
FI (3件)：
H01F10/16 ,  H01F41/18 ,  H01L27/04 L
Fターム (11件)：
5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AC05 ,  5E049BA29 ,  5E049CB02 ,  5E049DB14 ,  5E049GC01 ,  5F038AZ04 ,  5F038BH10 ,  5F038BH19 ,  5F038DF02
引用特許：
審査官引用 (5件)
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