特許
J-GLOBAL ID:202003002750652162

強磁性積層膜およびその製造方法ならびに電磁誘導性電子部品

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 特許業務法人創成国際特許事務所
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2018-217954
公開番号(公開出願番号):特開2020-088078
出願日: 2018年11月21日
公開日(公表日): 2020年06月04日
要約:
【課題】ナノグラニュラー構造を有する強磁性薄膜が奏する高透磁率化の増進を図る強磁性薄膜を提供する。【解決手段】強磁性積層膜は、異なる厚さ範囲に含まれる厚さを有する第1強磁性層211、212と、第2強磁性層221、222と、を含んでいる複数の強磁性層が絶縁層30を介して積層されている構造を有する。強磁性層が、一般式L1-a-bMaFbにより表わされる組成を有し、かつ、Lで表わされる平均粒径1〜20nmの磁性粒子がMのフッ化物からなる絶縁性マトリックスに均一に分布したナノグラニュラー構造を有している。Lは、Fe、CoおよびNiから選択される1種以上の元素(但しNiの単独は除く)である。MはLi、Mg、Al、Ca、Sr、Ba、GdおよびYから選択される1種以上の元素である。Fはフッ素である。絶縁層30が、一般式McFd(1≦c≦2、1≦d≦3)により表わされる組成を有している。【選択図】図1
請求項(抜粋):
一般式L1-a-bMaFb(L:Fe、CoおよびNiから選択される1種以上の元素(但しNiの単独は除く)、または、Fe、CoおよびNiから選択される1種以上の強磁性元素と、PdおよびPtから選択される1種以上の貴金属元素との合金(当該合金における貴金属元素の原子比率は0.50以下である)、M:Li、Mg、Al、Ca、Sr、Ba、GdおよびYから選択される1種以上の元素、F:フッ素、0.03≦a≦0.07、0.06≦b≦0.18、0.10≦a+b≦0.24)により表わされる組成を有し、かつ、Lで表わされる平均粒径1〜20nmの磁性粒子がMのフッ化物からなる絶縁性マトリックスに均一に分布したナノグラニュラー構造を有する複数の強磁性層と、 一般式McFd(1≦c≦2、1≦d≦3)により表わされる組成を有する絶縁層と、を備え、 基板の上に形成された最初の前記強磁性層を含む前記複数の強磁性層が前記絶縁層を介して積層された構造を有し、 前記複数の強磁性層が、第1の厚さ範囲に含まれる厚さを有する一または複数の第1強磁性層と、前記第1の厚さ範囲の上限値よりも大きい下限値を有する第2の厚さ範囲に含まれる厚さを有する一または複数の第2強磁性層と、を含んでいることを特徴とする強磁性積層膜。
IPC (5件):
H01F 10/16 ,  H01L 29/82 ,  H01L 43/00 ,  H01L 43/10 ,  H01F 41/18
FI (5件):
H01F10/16 ,  H01L29/82 Z ,  H01L43/00 ,  H01L43/10 ,  H01F41/18
Fターム (18件):
5E049AA04 ,  5E049AC05 ,  5E049AC10 ,  5E049BA11 ,  5E049CB02 ,  5E049DB20 ,  5E049EB01 ,  5E049GC01 ,  5F092AA11 ,  5F092AB10 ,  5F092AC30 ,  5F092BE01 ,  5F092BE24 ,  5F092BE25 ,  5F092BE27 ,  5F092CA02 ,  5F092GA01 ,  5F092GA05
引用特許:
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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