特許
J-GLOBAL ID：202003005738116912

レジスト組成物及びレジストパターン形成方法

発明者：
長峰 高志

長峰 高志 について

, 
岩澤 裕太

岩澤 裕太 について


出願人/特許権者：
東京応化工業株式会社

東京応化工業株式会社 について


代理人 (5件)： 棚井 澄雄 ,  志賀 正武 ,  松本 将尚 ,  宮本 龍 ,  飯田 雅人
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-073723
公開番号（公開出願番号）：特開2017-187517
特許番号：特許第6706530号
出願日： 2016年03月31日
公開日（公表日）： 2017年10月12日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 露光により酸を発生し、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化するレジスト組成物であって、 酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分(A)と、酸拡散制御剤成分(D)と、を含有し、 前記基材成分(A)は、下記一般式(a0-1)で表される構成単位(a0)を有する高分子化合物(A1)を含み、 前記酸拡散制御剤成分(D)は、共役酸の酸解離定数(pKa)が3未満であって下記一般式(d1-a)で表される化合物(D1)を含むことを特徴とするレジスト組成物。 [式(a0-1)中、Rは、水素原子、炭素数1〜5のアルキル基又は炭素数1〜5のハロゲン化アルキル基である。Va0は、置換基を有していてもよい2価の炭化水素基である。na0は、0〜2の整数である。Ra1及びRa2は、それぞれ独立に水素原子、炭素数1〜5のアルキル基、アルコキシ基、若しくはアルキルチオ基であるか、又は、Ra1とRa2とが互いに結合し、酸素原子若しくは硫黄原子を含んでいてもよい炭素数1〜6のアルキレン基、エーテル結合、若しくはチオエーテル結合となってもよい。Ra’01は、ハロゲン原子、ハロゲン原子を有していてもよい炭素数1〜6のアルキル基、ヒドロキシ基部分が保護基で保護されていてもよく且つハロゲン原子を有していてもよい炭素数1〜6のヒドロキシアルキル基、塩を形成していてもよいカルボキシ基、又は置換オキシカルボニル基である。p0は、0〜8の整数である。2つ以上のRa’01が存在する場合、複数のRa’01は、互いに同じであっても異なっていてもよい。Xは、一般式(a0-r-1)で表される基、シアノ基、ハロゲン原子、ハロゲン化アルキル基、-C(=O)ORa5、-OC(=O)Ra5、-CON(Ra6)(Ra7)、-SO2N(Ra8)(Ra9)又は-SO2Ra0である。前記のRa5〜Ra9は、それぞれ独立に水素原子又はアルキル基である。前記Ra0はアルキル基である。式(a0-r-1)中、Ra3及びRa4は、それぞれ独立に水素原子、若しくは置換基を有していてもよい非芳香族性炭化水素基であるか、又は、Ra3とRa4とが互いに結合し、Ra3が結合している炭素原子と、Ra4が結合している窒素原子と共に環を形成していてもよい。なお、式(a0-r-1)中の*は結合手を示す。q0は、1〜9の整数である。2つ以上のXが存在する場合、複数のXは、互いに同じであっても異なっていてもよい。] [式中、Rhは、ハロゲン原子を有する基を表す。d0は1〜4の整数である。]
IPC (4件)：
G03F 7/004 ( 200 6.01) ,  G03F 7/039 ( 200 6.01) ,  G03F 7/20 ( 200 6.01) ,  C08F 220/28 ( 200 6.01)
FI (5件)：
G03F 7/004 501 ,  G03F 7/039 601 ,  G03F 7/20 521 ,  G03F 7/20 502 ,  C08F 220/28
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (4件)
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