特許
J-GLOBAL ID:202003006919819458
イオンビーム発生装置およびイオンビーム発生装置の制御方法
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (1件):
特許業務法人東京国際特許事務所
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2018-227303
公開番号(公開出願番号):特開2020-091968
出願日: 2018年12月04日
公開日(公表日): 2020年06月11日
要約:
【課題】イオンビームの出力時に無衝突条件を満たす真空度できるイオンビーム発生装置の制御技術を提供する。【解決手段】イオンビーム発生装置1は、プラズマPの発生源となるガスGの分子を電離させてプラズマPを間欠的に発生させるプラズマ発生室21と、プラズマ発生室21で発生させたプラズマPが導入される主放電室9と、主放電室9に設けられ、間欠的な放電によりプラズマPを加速させる加速用電極4と、主放電室9にプラズマPが導入されるタイミングと加速用電極4の放電のタイミングとを同期させる制御部31とを備える。【選択図】図1
請求項(抜粋):
プラズマの発生源となるガスの分子を電離させて前記プラズマを間欠的に発生させるプラズマ発生室と、
前記プラズマ発生室で発生させた前記プラズマが導入される主放電室と、
前記主放電室に設けられ、間欠的な放電により前記プラズマを加速させる加速用電極と、
前記主放電室に前記プラズマが導入されるタイミングと前記加速用電極の放電のタイミングとを同期させる制御部と、
を備えるイオンビーム発生装置。
IPC (3件):
H01J 27/08
, H01J 37/08
, H05H 1/54
FI (3件):
H01J27/08
, H01J37/08
, H05H1/54
Fターム (29件):
2G084AA12
, 2G084AA15
, 2G084AA21
, 2G084AA22
, 2G084AA24
, 2G084BB11
, 2G084CC03
, 2G084CC13
, 2G084CC19
, 2G084CC25
, 2G084CC27
, 2G084CC33
, 2G084DD12
, 2G084DD22
, 2G084DD39
, 2G084FF02
, 2G084FF25
, 2G084HH05
, 2G084HH06
, 2G084HH09
, 2G084HH26
, 2G084HH28
, 2G084HH44
, 2G084HH54
, 2G084HH56
, 5C030DD05
, 5C030DE01
, 5C030DE04
, 5C030DE09
引用特許:
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