半導体装置

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出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-512463
特許番号：特許第6705810号
出願日： 2016年04月06日
請求項（抜粋）：

【請求項1】基板上の半導体と、前記半導体上の第1の導電体及び第2の導電体と、前記第1の導電体と接する第1の金属酸化物と、前記第2の導電体と接する第2の金属酸化物と、前記第1の金属酸化物及び前記第2の金属酸化物上の第1の絶縁体と、前記半導体上の第2の絶縁体と、前記第2の絶縁体上の第3の絶縁体と、前記第3の絶縁体上の第3の導電体と、を有し、前記第3の絶縁体は前記第1の絶縁体の側面と接し、前記半導体は、前記半導体と、前記第1の導電体および前記第1の金属酸化物の底面と、が重なる第1の領域を有し、前記半導体と、前記第2の導電体および前記第2の金属酸化物の底面と、が重なる第2の領域を有し、前記半導体と、前記第3の導電体の底面と、が重なる第3の領域を有し、前記半導体の上面と前記第3の導電体の底面との間の長さは、前記第1の領域と前記第3の領域との間の長さよりも、大きいことを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/336 ( 200 6.01) , H01L 29/786 ( 200 6.01) , H01L 21/8234 ( 200 6.01) , H01L 27/088 ( 200 6.01)

FI (4件)：

H01L 29/78 619 A , H01L 27/088 E , H01L 29/78 617 S , H01L 29/78 617 A

引用特許：

審査官引用 (9件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2013-135225 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2013-213451 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
半導体装置およびその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2013-139547 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

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