特許
J-GLOBAL ID：202003011103987658
炭化珪素半導体装置用ゲート絶縁膜の製造方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人 谷・阿部特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-029238
公開番号（公開出願番号）：特開2017-147377
特許番号：特許第6701788号
出願日： 2016年02月18日
公開日（公表日）： 2017年08月24日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 転写用基板(1)上に絶縁膜(2a)が形成された転写板(3)を用意する工程と、
SiC基板(4)上に単原子層のエピタキシャルシリコン酸窒化膜(5)が形成された表面処理基板(6)を用意する工程と、
前記表面処理基板(6)のシリコン酸窒化膜(5)上に、前記転写板(3)から前記絶縁膜(2a)を転写して、絶縁膜(2b)を有する表面処理基板(6)を作製する工程と、
を含み、
前記シリコン酸窒化膜(5)上に転写された絶縁膜(2b)上に、堆積法を用いて更に絶縁膜(7)を堆積させ、前記転写された絶縁膜(2b)の膜厚が5nm以上10nm未満であり、前記更なる絶縁膜(7)の膜厚が、転写絶縁膜(2b)の膜厚との合計膜厚として、10nm以上150nm以下であることを特徴とする、SiC半導体装置用ゲート絶縁膜の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/316 ( 200 6.01)
, H01L 21/336 ( 200 6.01)
, H01L 29/78 ( 200 6.01)
H01L 21/316 B
, H01L 29/78 301 B
, H01L 29/78 301 G
出願人引用 (6件)
全件表示
審査官引用 (6件)
全件表示
引用文献：
前のページに戻る
