特許
J-GLOBAL ID：202003013251570424
光電変換素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人深見特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-537874
特許番号：特許第6762304号
出願日： 2016年08月29日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 n型の半導体基板と、
前記半導体基板の第1の面側および側面上のp型非晶質半導体膜と、
前記半導体基板の前記第1の面側のn型非晶質半導体膜と、
前記p型非晶質半導体膜上のp電極と、
前記n型非晶質半導体膜上のn電極と、を備え、
前記p電極は、前記半導体基板の前記第1の面側および前記側面上に配置された前記p型非晶質半導体膜上に位置しており、
前記半導体基板の前記側面上において、前記p型非晶質半導体膜は、前記p電極よりも長く延在している、光電変換素子。
IPC (2件)：
H01L 31/0224 ( 200 6.01)
, H01L 31/0747 ( 201 2.01)
H01L 31/04 260
, H01L 31/06 455
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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