特許
J-GLOBAL ID:202003014996795807

高耐圧ショットキーバリアダイオード

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 特許業務法人平田国際特許事務所
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2015-058519
公開番号(公開出願番号):特開2016-178250
特許番号:特許第6758569号
出願日: 2015年03月20日
公開日(公表日): 2016年10月06日
請求項(抜粋):
【請求項1】 第1のIV族元素及び濃度5×1016cm-3以下のClを含む第1のGa2O3系単結晶からなり、理想係数が1.2未満となる、実効ドナー濃度が1×1013以上かつ2.0×1016cm-3以下である第1の層と、 第2のIV族元素を含む第2のGa2O3系単結晶からなり、前記第1の層よりも実効ドナー濃度が高い、前記第1の層に積層された第2の層と、 前記第1の層上に形成されたアノード電極と、 前記第2の層上に形成されたカソード電極と、 を有する、 高耐圧ショットキーバリアダイオード。
IPC (6件):
H01L 29/872 ( 200 6.01) ,  H01L 21/329 ( 200 6.01) ,  C23C 16/40 ( 200 6.01) ,  C30B 29/16 ( 200 6.01) ,  H01L 29/24 ( 200 6.01) ,  H01L 29/47 ( 200 6.01)
FI (8件):
H01L 29/86 301 D ,  H01L 29/86 301 F ,  H01L 29/86 301 P ,  C23C 16/40 ,  C30B 29/16 ,  H01L 29/24 ,  H01L 29/48 D ,  H01L 29/48 P
引用特許:
審査官引用 (1件)
引用文献:
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