特許
J-GLOBAL ID：202003018788153260
錫めっき付銅端子材及びその製造方法並びに電線端末部構造
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青山 正和
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-034562
公開番号（公開出願番号）：特開2016-169439
特許番号：特許第6740635号
出願日： 2016年02月25日
公開日（公表日）： 2016年09月23日
請求項（抜粋）：
【請求項1】アルミニウム又はアルミニウム合金からなる電線の端末に圧着される端子用の錫めっき付銅端子材であって、
銅又は銅合金からなる基材の上にニッケル又はニッケル合金からなる下地層、ニッケル錫亜鉛合金層、錫又は錫合金からなる錫層がこの順に積層されており、
前記ニッケル錫亜鉛合金層は、厚みが0.13μm以上1μm以下であり、ニッケルが15at%以上60at%以下、亜鉛が10at%以上60at%以下含有し、残部が錫からなり、
前記錫層の上に、亜鉛濃度が20at%以上40at%以下の亜鉛濃縮層が形成され、該亜鉛濃縮層の膜厚は、膜厚が既知のSiO2膜をエッチングしたときのエッチングレートと前記亜鉛濃縮層のエッチングに要した時間とから算出されるSiO2換算膜厚で3nm以上30nm以下であることを特徴とする錫めっき付銅端子材。
IPC (9件)：
C25D 7/00 ( 200 6.01)
, C25D 5/50 ( 200 6.01)
, C25D 5/12 ( 200 6.01)
, H01B 5/02 ( 200 6.01)
, H01B 13/00 ( 200 6.01)
, C22C 13/00 ( 200 6.01)
, C22C 18/00 ( 200 6.01)
, C22C 30/06 ( 200 6.01)
, C22C 19/03 ( 200 6.01)
C25D 7/00 H
, C25D 5/50
, C25D 5/12
, H01B 5/02 A
, H01B 13/00 501 Z
, C22C 13/00
, C22C 18/00
, C22C 30/06
, C22C 19/03 G
出願人引用 (9件)
全件表示
審査官引用 (5件)
全件表示
前のページに戻る
