特許

J-GLOBAL ID：202003019477262313

赤外線検出器、これを用いた撮像装置、及び赤外線検出器の製造方法

発明者： 尾▲崎▼ 一男
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (2件)： 伊東 忠重 ,  伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-140556
公開番号（公開出願番号）：特開2020-017672
出願日： 2018年07月26日
公開日（公表日）： 2020年01月30日
要約：

【課題】半導体超格子を用いた赤外線検出器の表面リーク電流を低減した赤外線検出器を提供する。【解決手段】複数の画素の配列を有する赤外線検出器において、各画素10は、Sbを含む第1の化合物半導体の薄膜151とSbを含まない第2の化合物半導体の薄膜152が繰り返し積層された光吸収層15を有し、光吸収層の積層方向の途中に面内方向に拡がる段差25が設けられ、段差の最上面は第2の化合物半導体となっていることにより課題を解決する。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

複数の画素の配列を有する赤外線検出器において、 各画素は、Sbを含む第1の化合物半導体の薄膜と、Sbを含まない第2の化合物半導体の薄膜が繰り返し積層された光吸収層を有し、 前記光吸収層の積層方向の途中に面内方向に拡がる段差が設けられ、 前記段差の最上面は前記第2の化合物半導体であることを特徴とする赤外線検出器。

IPC (3件)：

H01L 31/10 ,  H01L 27/144 ,  H01L 27/146

FI (3件)：

H01L31/10 A ,  H01L27/144 K ,  H01L27/146 F

Fターム (38件)：

4M118AA05 ,  4M118AB01 ,  4M118BA19 ,  4M118CA40 ,  4M118CB02 ,  4M118CB03 ,  4M118EA04 ,  4M118EA14 ,  4M118FA06 ,  4M118FA27 ,  4M118GA02 ,  4M118GA10 ,  4M118GD03 ,  4M118GD04 ,  4M118HA22 ,  4M118HA31 ,  5F849AA04 ,  5F849AB07 ,  5F849BA05 ,  5F849BA30 ,  5F849BB01 ,  5F849CB01 ,  5F849CB05 ,  5F849CB07 ,  5F849CB14 ,  5F849CB15 ,  5F849DA02 ,  5F849DA35 ,  5F849EA05 ,  5F849FA05 ,  5F849FA13 ,  5F849GA06 ,  5F849HA13 ,  5F849KA20 ,  5F849LA01 ,  5F849XB18 ,  5F849XB24 ,  5F849XB37

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 受光素子、その製造方法、光学装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-273572   出願人：住友電気工業株式会社
• 受光素子、半導体エピタキシャルウエハ、検出装置および受光素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2012-123515   出願人：住友電気工業株式会社
• 受光デバイス、その製造方法、およびセンシング装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2013-004879   出願人：住友電気工業株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2012-095345   出願人：富士通株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• "InGaAs/GaAsSb Type-II superlattice based photodiodes for short wave infrared detection"