研究者
J-GLOBAL ID:202101004463283876   更新日: 2026年04月13日

大森 雅登

オオモリ マサト | Omori Masato
所属機関・部署:
職名: 准教授
研究分野 (4件): 薄膜、表面界面物性 ,  結晶工学 ,  電子デバイス、電子機器 ,  電気電子材料工学
研究キーワード (5件): パワー半導体 ,  半導体デバイス ,  パワーデバイス ,  III-V族化合物半導体 ,  窒化ガリウム
競争的資金等の研究課題 (7件):
  • 2018 - 2021 光でゲート制御するGaN縦型パワーデバイスの開発
  • 2014 - 2018 GaN系HEMTと関連素子のピエゾ電界効果の解明と表面準位の新評価法
  • 2013 - 2015 量子ドット積層技術による半導体ナノワイヤ構造の形成と物性解明
  • 2011 - 2014 第II種量子ドット入り三角障壁構造による電子伝導の制御と光検出器応用
  • 2011 - 2014 半導体ナノ結晶と中空ファイバを活用した脳腫瘍の診断・治療一体型デバイスの開発
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論文 (22件):
MISC (53件):
特許 (8件):
学歴 (1件):
  • 2002 - 2007 東京大学 工学系研究科 電子工学専攻
学位 (1件):
  • 博士(工学) (東京大学)
経歴 (3件):
  • 2019/04 - 現在 大分大学 理工学部 准教授
  • 2016/08 - 2019/03 名古屋大学 未来材料・システム研究所 特任講師
  • 2007/04 - 2016/07 豊田工業大学 助教, 研究員
所属学会 (3件):
エレクトロニクス実装学会 ,  先進パワー半導体分科会 ,  応用物理学会
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