研究者
J-GLOBAL ID:202101004463283876
更新日: 2026年04月13日
大森 雅登
オオモリ マサト | Omori Masato
所属機関・部署:
大分大学 理工学部
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職名:
准教授
研究分野 (4件):
薄膜、表面界面物性
, 結晶工学
, 電子デバイス、電子機器
, 電気電子材料工学
研究キーワード (5件):
パワー半導体
, 半導体デバイス
, パワーデバイス
, III-V族化合物半導体
, 窒化ガリウム
競争的資金等の研究課題 (7件):
2018 - 2021 光でゲート制御するGaN縦型パワーデバイスの開発
2014 - 2018 GaN系HEMTと関連素子のピエゾ電界効果の解明と表面準位の新評価法
2013 - 2015 量子ドット積層技術による半導体ナノワイヤ構造の形成と物性解明
2011 - 2014 第II種量子ドット入り三角障壁構造による電子伝導の制御と光検出器応用
2011 - 2014 半導体ナノ結晶と中空ファイバを活用した脳腫瘍の診断・治療一体型デバイスの開発
2011 - 2012 コラムナ量子ドットを用いたナノ細線フォトトランジスタによる単一光子検出の研究
2008 - 2010 量子ドットと量子細線を結合させた素子構造の形成法開拓と光伝導機能探索
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論文 (22件):
Masato Omori, Taisei Miyazaki, Kenta Watanabe, Maito Shiraishi, Ryusei Wada, Takashi Okawa. Determination of Mg acceptor concentration in GaN through photoluminescence. Applied Physics Express. 2021. 14. 5. 051002-051002
Hideki Sakurai, Tetsuo Narita, Masato Omori, Shinji Yamada, Akihiko Koura, Malgorzata Iwinska, Keita Kataoka, Masahiro Horita, Nobuyuki Ikarashi, Michal Bockowski, et al. Redistribution of Mg and H atoms in Mg-implanted GaN through ultra-high-pressure annealing. Applied Physics Express. 2020. 13. 8. 086501
Shinji Yamada, Masato Omori, Hideki Sakurai, Yamato Osada, Ryuichiro Kamimura, Tamotsu Hashizume, Jun Suda, Tetsu Kachi. Reduction of plasma-induced damage in n-type GaN by multistep-bias etching in inductively coupled plasma reactive ion etching. Applied Physics Express. 2019. 13. 1. 016505
Hideki Sakurai, Masato Omori, Shinji Yamada, Yukihiro Furukawa, Hideo Suzuki, Tetsuo Narita, Keita Kataoka, Masahiro Horita, Michal Bockowski, Jun Suda, et al. Highly effective activation of Mg-implanted p-type GaN by ultra-high-pressure annealing. Applied Physics Letters. 2019. 115. 14. 142104
Masamichi Akazawa, Ryo Kamoshida, Shunta Murai, Tetsuo Narita, Masato Omori, Jun Suda, Tetsu Kachi. Effects of Dosage Increase on Electrical Properties of Metal-Oxide-Semiconductor Diodes with Mg-Ion-Implanted GaN Before Activation Annealing. physica status solidi (b). 2019. 257. 2. 1900367
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MISC (53件):
坪井辰哉, 日高昭日, 大川峰司, 大森雅登. フォトルミネッセンス法による窒化ガリウム中Siドナーの濃度定量. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2023. 70th
幾田大智, 佐藤翔太, 大森雅登. GaN-MOSFETにおける反転層移動度の酸化膜成膜方法依存性. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2023. 70th
大森雅登, 渡邉健太, 坪井辰哉, 日高昭日, 大川峰司. Mgイオン注入GaNの正孔濃度の活性化アニール温度依存性. 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2022. 83rd
大森雅登. 窒化ガリウムを用いた光制御パワートランジスタの開発. 岩谷直治記念財団研究報告書. 2021. 44
白石舞翔, 宮崎泰成, 和田竜垂, 渡邉健太, 大川峰司, 大森雅登. 超高圧熱処理を施したMgイオン注入GaNのPL評価. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2021. 68th
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特許 (8件):
縦型バイポーラトランジスタおよびその製造方法
窒化物半導体装置の製造方法
窒化物半導体層の不純物濃度を測定する測定方法及び測定装置
窒化物半導体装置の製造方法
窒化物半導体装置の製造方法
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学歴 (1件):
2002 - 2007 東京大学 工学系研究科 電子工学専攻
学位 (1件):
博士(工学) (東京大学)
経歴 (3件):
2019/04 - 現在 大分大学 理工学部 准教授
2016/08 - 2019/03 名古屋大学 未来材料・システム研究所 特任講師
2007/04 - 2016/07 豊田工業大学 助教, 研究員
所属学会 (3件):
エレクトロニクス実装学会
, 先進パワー半導体分科会
, 応用物理学会
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