研究者
J-GLOBAL ID：202101020254741684   更新日: 2026年04月12日

小林 拓真

コバヤシ タクマ | Kobayashi Takuma
所属機関・部署：
大阪大学 大学院工学研究科

大阪大学 大学院工学研究科 について


職名： 准教授
ホームページURL (2件)： http://www-ade.prec.eng.osaka-u.ac.jp/ ,  http://www-ade.prec.eng.osaka-u.ac.jp/index-e.php
研究分野 (3件)： 光工学、光量子科学 ,  薄膜、表面界面物性 ,  電気電子材料工学
研究キーワード (4件)： ワイドギャップ半導体 ,  パワーデバイス ,  量子テクノロジー ,  欠陥
競争的資金等の研究課題 (10件)：
  • 2025 - 2031 酸化物半導体をプラットフォームとした高効率量子光源技術の開拓
  • 2024 - 2029 炭化ケイ素半導体ヘテロ界面科学の再構築
  • 2025 - 2028 量子ネットワーク構築に向けた炭化ケイ素スピン量子光源の量子波長変換
  • 2024 - 2028 パワーエレクトロニクス応用におけるSiC半導体素子の革新
  • 2025 - 2027 光励起ダイナミクスの計測・理論解析による窒化ガリウムMOS界面欠陥の起源解明
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論文 (55件)：
  • Tianping Li, Liji Zhan, Yuta Hayakawa, Takuma Kobayashi, Heiji Watanabe, Takayoshi Shimura. Optical mode competition in tensile-strained Ge microdisks fabricated by laser-induced liquid-phase crystallization. Japanese Journal of Applied Physics. 2026. 65. 2. 02SP12-1-02SP12-7
  • Masahiro Hara, Kazuki Tomigahara, Mikito Nozaki, Takuma Kobayashi, Heiji Watanabe. Reduction of hole traps in GaN MOS structures by high-pressure oxygen annealing. Applied Physics Letters. 2025. 127. 16. 162105-1-162105-5
  • Kensei Maeda, Takuma Kobayashi, Masahiro Hara, Heiji Watanabe. Hydrogen passivation of electron traps and fixed charges in SiO2/β-Ga2O3(001) MOS structures. Applied Physics Letters. 2025. 127. 11. 112107-1-112107-5
  • Takuma Kobayashi, Hiroki Fujimoto, Shinji Kamihata, Keiji Hachiken, Masahiro Hara, Heiji Watanabe. Performance and reliability improvements in SiC(0001) MOS devices via two-step annealing in H2/Ar gas mixtures. Applied Physics Express. 2025. 18. 8. 081002-1-081002-4
  • Masahiro Hara, Kenji Hirahara, Kazuki Tomigahara, Mikito Nozaki, Takuma Kobayashi, Heiji Watanabe. Generation process of hole traps thermally induced in SiO2/GaOx/p-GaN metal-oxide-semiconductor structures. Journal of Applied Physics. 2025. 138. 5. 055705-1-055705-6
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MISC (10件)：
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特許 (6件)：
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書籍 (1件)：
  • 次世代パワー半導体の開発・評価と実用化
    エヌ・ティー・エス 2022 ISBN:9784860437671
講演・口頭発表等 (226件)：
  • 第一原理計算によるβ-Ga2O3中スプリット型不純物-空孔ペアの特性評価
    (第73回 応用物理学会 春季学術講演会 2026)
  • n型GaNショットキー接合へのGaOx界面層挿入による双極子形成
    (第73回 応用物理学会 春季学術講演会 2026)
  • 理論と実験の両手法によるSiC半導体色中心の探索と解明
    (第73回応用物理学会春季学術講演会 2026)
  • SiO2スパッタ成膜に起因するGaN表面近傍欠陥の評価
    (第73回 応用物理学会 春季学術講演会 2026)
  • 光支援C-V測定によるSiO2/SiC界面発光中心の深い準位評価
    (第73回 応用物理学会 春季学術講演会 2026)
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学歴 (4件)：
  • 2015 - 2018 京都大学 大学院工学研究科 電子工学専攻 博士後期課程
  • 2013 - 2015 京都大学 大学院工学研究科 電子工学専攻 修士課程
  • 2009 - 2013 大阪大学 基礎工学部 電子物理科学科
  • 2006 - 2009 私立洛南高等学校 内部進学コース編入
学位 (1件)：
  • 博士(工学) (京都大学)
経歴 (9件)：
  • 2024/04 - 現在 大阪大学 大学院工学研究科 物理学系専攻 准教授
  • 2023/04 - 現在 大阪大学 大学院工学研究科 CFi 次世代リーダー教員
  • 2022/10 - 2026/03 JST 戦略的創造研究推進事業 さきがけ [情報担体] 個人研究者
  • 2021/01 - 2024/03 大阪大学 大学院工学研究科 物理学系専攻 助教
  • 2019/10 - 2020/12 エアランゲン大学 物理学科 日本学術振興会海外特別研究員
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委員歴 (10件)：
  • 2026/02 - 現在 応用物理学会 若手チャプター 半導体物性・評価研究会 幹事
  • 2024/04 - 2028/03 応用物理学会 先進パワー半導体分科会 会計幹事(常任)
  • 2026/03 - 2027/03 応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第 13 回講演会 プログラム委員会委員
  • 2026/02 - 2027/03 ICSCRM2026 プログラム委員会委員
  • 2025/11 - 2027/03 応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第 13 回講演会 実行委員会委員
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受賞 (8件)：
  • 2024/11 - 令和6年度 大阪大学賞 若手教員部門
  • 2023/12 - 第12回 エヌエフ基金研究開発奨励賞 優秀賞
  • 2023/05 - 第22回 船井研究奨励賞
  • 2022/03 - 第43回 応用物理学会論文奨励賞
  • 2015/11 - 研究奨励賞, 応用物理学会先進パワー半導体分科会 第2回講演会
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所属学会 (4件)：
SAKIGAKEクラブ(大阪大学) ,  応用物理学会 先進パワー半導体分科会 ,  応用物理学会 ,  IEEE
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