小林拓真

コバヤシタクマ | Kobayashi Takuma

所属機関・部署：
職名：准教授
ホームページURL (2件)： http://www-ade.prec.eng.osaka-u.ac.jp/ , http://www-ade.prec.eng.osaka-u.ac.jp/index-e.php

研究分野 (3件)：光工学、光量子科学 , 薄膜、表面界面物性 , 電気電子材料工学

研究キーワード (4件)：ワイドギャップ半導体 , パワーデバイス , 量子テクノロジー , 欠陥

競争的資金等の研究課題 (4件)：

論文 (48件)：

Takuma Kobayashi, Asato Suzuki, Takato Nakanuma, Mitsuru Sometani, Mitsuo Okamoto, Akitaka Yoshigoe, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe. Characterization of nitrided SiC(1-100) MOS structures by means of electrical measurements and X-ray photoelectron spectroscopy. Materials Science in Semiconductor Processing. 2024. 175. 108251-1-108251-7
Takuma Kobayashi, Kazuki Tomigahara, Mikito Nozaki, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe. Separate evaluation of interface and oxide hole traps in SiO₂/GaN MOS structures with below- and above-gap light excitation. Applied Physics Express. 2023. 17. 1. 011003-1-011003-5
Tae-Hyeon Kil, Takuma Kobayashi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe. Design of SiO₂/4H-SiC MOS interfaces by sputter deposition of SiO₂ followed by high-temperature CO₂-post deposition annealing. AIP Advances. 2023. 13. 11. 115304-1-115304-5
Takuma Kobayashi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe. Oxygen-vacancy defect in 4H-SiC as a near-infrared emitter: An ab initio study. Journal of Applied Physics. 2023. 134. 14. 145701-1-145701-9
Hidetoshi Mizobata, Mikito Nozaki, Takuma Kobayashi, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe. Passivation of hole traps in SiO₂/GaN metal-oxide-semiconductor devices by high-density magnesium doping. Applied Physics Express. 2023. 16. 10. 105501-1-105501-4

特許 (3件)：

書籍 (1件)：

講演・口頭発表等 (142件)：

犠牲酸化プロセスによる SiC MOSFET の電気特性劣化
(第71回応用物理学会春季学術講演会 2024)
Si基板上GeSn細線のレーザー溶融結晶化における下地SiO2膜厚とレーザー走査速度の最適化
(第71回応用物理学会春季学術講演会 2024)
低温追酸化によるSiO2/SiC界面発光中心の密度制御と電気特性との相関
(第71回応用物理学会春季学術講演会 2024)
第一原理計算に基づく4H-SiC中酸素関連欠陥の系統的調査
(第71回応用物理学会春季学術講演会 2024)
Si 基板上GeSn細線のレーザー溶融結晶化におけるレーザー走査条件と下地SiO2膜厚の最適化
(第 29 回電子デバイス界面テクノロジー研究会 2024)

学歴 (3件)：

学位 (1件)：

経歴 (9件)：

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委員歴 (1件)：

受賞 (7件)：

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所属学会 (4件)：

SAKIGAKEクラブ(大阪大学) , 応用物理学会先進パワー半導体分科会 , 応用物理学会 , IEEE

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小林 拓真