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J-GLOBAL ID:202102227699495396   整理番号:21A0957314

X線支援非接触原子間力顕微鏡(XANAM)による半導体表面のナノスケール元素分析

Elemental analysis of semiconductor surfaces at the nanoscale by X-ray aided noncontact atomic force microscopy (XANAM)
著者 (9件):
資料名:
巻: 75  号:ページ: ROMBUNNO.11aJ1-4  発行年: 2020年09月23日 
JST資料番号: S0671C  ISSN: 2189-079X  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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我々は、表面/界面のナノ構造の元素分布情報を得る手法として、「X線支援原子間力顕微鏡(XANAM)」を開発してきた。これは非接触原子間力顕微鏡(NC-AFM)と放射光X線(SR X-ray)を組み合わせた手法である。今後の原子分子レベル~ナ...【本文一部表示】
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分類 (2件):
分類
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半導体の表面構造  ,  顕微鏡法 

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