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J-GLOBAL ID：202102282064779506   整理番号：21A0191527

アモルファスGeSnの結晶化におけるSnの振る舞い

Behavior of Sn Atoms During Crystallization of Amorphous GeSn

著者 (2件)： 石丸学 (九州工業大学大学院工学研究院) ,  仲村龍介 (大阪府立大学大学院工学研究科)
資料名： まてりあ  (Materia Japan)
巻： 59  号： 12  ページ： 662-668(J-STAGE)  発行年： 2020年 
JST資料番号： F0163A  ISSN： 1340-2625  CODEN： MTERE2  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ・本稿では,高濃度Sn含有GeSn多結晶薄膜を実現するため,透過電子顕微鏡その場観察を用い行った,通常の熱処理と電子線照射によるアモルファスGeSnの結晶化過程の調査結果を紹介。
・スパッタリングGeSn試料はアモルファス構造を有し,その電子線動径分布解析の結果,Sn濃度が高くなるとSnの一部はクラスターとして存在することが判明。
・25at%以上のSnを含むアモルファスGeSnでは,熱処理,電子線照射いずれの場合もアモルファス状態で相分離が生じていることを確認。
・電子線照射誘起結晶化では,通常の熱処理では困難な高濃度Sn含有GeSn粗大結晶を持つ多結晶薄膜を,実現する可能性があることに言及。

シソーラス用語： 非晶質半導体 ,  *結晶化 ,  薄膜トランジスタ ,  電子顕微鏡観察 ,  その場観察 ,  結晶構造解析 ,  動径分布関数 ,  熱処理 ,  電子照射 ,  相分離 ,  *ゲルマニウム合金 ,  *スズ含有合金 ,  *半導体薄膜 ,  過飽和 ,  多結晶薄膜
準シソーラス用語： 液体媒介結晶化 ,  高濃度化

著者キーワード (5件)： germanium-tin ,  amorphous ,  crystallization ,  transmission electron microscopy ,  in situ observations

分類 (2件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (36件)：

• (1) W. Knaepen, S. Gaudet, C. Detavernier, R. L. Van Meirhaeghe, J. J. Sweet and C. Lavoie: J. Appl. Phys., 105(2009), 083532 (7 pages).
• (2) S. Zaima, O. Nakatsuka, N. Taoka, M. Kurosawa, W. Takeuchi and M. Sakashita: Sci. Technol. Adv. Mater., 16(2015), 043502 (22 pages).
• (3) K. Alberi, J. Blacksberg, L. D. Bell, S. Nikzad, K. M. Yu, O. D. Dubon and W. Walukiewicz: Phys. Rev. B, 77(2008) 073202 (4 pages).
• (4) R. Chen, H. Lin, Y. Huo, C. Hitzman, T. I. Kamins and J. S. Harris: Appl. Phys. Lett., 99(2011), 181125 (3 pages).
• (5) W. Du, S. A. Ghetmiri, B. R. Conley, A. Mosleh, A. Nazzal, R. A. Soref, G. Sun, J. Tolle, J. Margetis, H. A. Naseem and S.-Q. Yu: Appl. Phys. Lett., 105(2014), 051104 (4 pages).

タイトルに関連する用語 (3件)： アモルファス ,  結晶化 ,  Sn