特許
J-GLOBAL ID：202103001039953940
ブロック・コポリマの誘導自己組織化のためのハイブリッド形態学的化学的プレパターン
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
上野 剛史
, 太佐 種一
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-543354
特許番号：特許第6814151号
出願日： 2016年02月08日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 i)自己組織化用材料(SA材料)を含む層(SA層)をハイブリッド・プレパターンの上面に形成し、場合によっては前記SA層の上面に配置されるトップコートを形成すること、ここで、
前記SA材料は、特徴的ピッチLoを有する相分離ラメラ状ドメイン・パターンを形成する自己組織化が可能であり、
前記プレパターンは基板上に配置され、
前記プレパターンの前記上面は幾何学的主軸を有し、
前記プレパターンの前記上面は、a)隣接凹面が介在する独立した凸面、及びb)凸面を凹面に連結する側壁を含み、
前記プレパターンの前記凸面の下にある材料は、所与のエッチング・プロセスにおいて、前記プレパターンの前記凹面の下にある材料よりもエッチング耐性が高く、
所与の凸面は、前記主軸に垂直な方向の前記所与の凸面の長さとして定義される幅WEを有し、
所与の凹面は、前記主軸に垂直な方向の前記凹面の長さとして定義される幅WRを有し、
隣接する凹面と凸面の各対のWR+WEは、Loのほぼ整数倍の値を有する独立した合計であり、前記整数は2〜30であり、
前記凹面のうち少なくとも1個のWRは2Loを超え、
前記凸面のうち少なくとも1個のWEは2Loを超え、
前記側壁は、0.1Lo〜2Loの高さHNを有し、
前記SA層は、前記プレパターンの前記凸面、凹面及び側壁に接触し、
前記SA層は、雰囲気又は前記トップコートに接触した上面を有する、
ii)前記SA材料の自己組織化を可能にし、又は誘発し、それによって前記ラメラ状ドメイン・パターンを含む自己組織化SA層を形成し、前記ドメイン・パターンが前記SA材料のそれぞれの化学的に異なる成分を含む交互ドメインを含み、前記ドメインの各々が複数のラメラを含むこと、ここで、
前記凸面は、前記ドメインに対して、当該ドメインの各々が表面を濡らすことができる中性濡れであり、
前記凸面の各々は、前記ドメインの各々の前記ラメラの少なくとも1個に接触し、
前記プレパターンの所与の凸面に接触した前記ラメラの各々は、a)前記所与の凸面に対して垂直に配向し、b)前記所与の凸面上で前記雰囲気界面若しくは前記トップコート又はその両方に接触し、c)前記プレパターンの前記主軸に沿って整列する、
iii)前記ドメインの1個をエッチング・プロセスによって選択的に除去し、それによって残留ドメインのラメラを含むエッチングされたドメイン・パターンを形成すること、
iv)前記エッチングされたドメイン・パターンを、前記凸面の下のエッチング耐性がより高い前記材料に第2のエッチング・プロセスによって選択的に転写し、それによってエッチング耐性がより高い前記材料を含む形態学的機能部を含む転写パターンを形成すること
を含む、方法。
IPC (2件)：
H01L 21/027 ( 200 6.01)
, H01L 21/3065 ( 200 6.01)
H01L 21/30 502 D
, H01L 21/30 565
, H01L 21/302 105 A
