有機アミノジシラン前駆体、及びそれを含む膜の堆積方法

発明者： , , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (7件)：青木篤 , 三橋真二 , 鶴田準一 , 南山知広 , 渡辺陽一 , 胡田尚則 , 木村健治
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-129282
公開番号（公開出願番号）：特開2018-195833
特許番号：特許第6904924号
出願日： 2018年07月06日
公開日（公表日）： 2018年12月06日
請求項（抜粋）：

【請求項1】次の式Iで表されるSi-N結合、Si-Si結合、及びSi-H3基を有する少なくとも1種の有機アミノジシラン前駆体を含む組成物であって、前記有機アミノジシラン前駆体を99.5wt%以上で含む、組成物: (ここで、R1は、直鎖又は分岐鎖のC3〜C10のアルキル基、及びC6〜C10のアリール基から選択され;R2は、水素、直鎖又は分岐鎖のC1〜C10のアルキル基、及びC6〜C10のアリール基から選択され;ここで、R1及びR2は、異なっているか、あるいは共に結合して置換若しくは非置換の芳香環から選択される環を形成され;かつn=1)。

IPC (8件)：

H01L 21/318 ( 200 6.01) , H01L 21/316 ( 200 6.01) , H01L 21/31 ( 200 6.01) , H01L 21/205 ( 200 6.01) , C23C 16/42 ( 200 6.01) , C23C 16/448 ( 200 6.01) , C07F 7/02 ( 200 6.01) , C08G 79/00 ( 200 6.01)

FI (8件)：

H01L 21/318 B , H01L 21/316 X , H01L 21/31 C , H01L 21/205 , C23C 16/42 , C23C 16/448 , C07F 7/02 Z , C08G 79/00

引用特許：

出願人引用 (5件)

光励起堆積プロセス中にシリコン含有材料を形成する方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2008-518299 出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
オリゴシラニルエノールエーテル誘導体の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-331080 出願人：信越化学工業株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-366854 出願人：富士通株式会社

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審査官引用 (5件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-366854 出願人：富士通株式会社
光励起堆積プロセス中にシリコン含有材料を形成する方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2008-518299 出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
オリゴシラニルエノールエーテル誘導体の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-331080 出願人：信越化学工業株式会社

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引用文献：

出願人引用 (2件)

審査官引用 (2件)

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