特許
J-GLOBAL ID：202103002715355594

発光素子及びその製造方法

発明者：
竹中 靖博

竹中 靖博 について

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齋藤 義樹

齋藤 義樹 について

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松井 慎一

松井 慎一 について

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篠田 大輔

篠田 大輔 について

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程田 高史

程田 高史 について

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篠原 裕直

篠原 裕直 について


出願人/特許権者：
豊田合成株式会社

豊田合成株式会社 について


代理人 (3件)： 特許業務法人平田国際特許事務所 ,  平田 忠雄 ,  伊藤 浩行
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-184867
公開番号（公開出願番号）：特開2018-049959
特許番号：特許第6805674号
出願日： 2016年09月21日
公開日（公表日）： 2018年03月29日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 ガラス封止される発光素子の製造方法であって、 基板上に、n型クラッド層を含む、AlxGa1-xN(0.1≦x≦1)を主成分とするn型半導体層を形成する工程と、 前記n型半導体層上に発光層を形成する工程と、 前記発光層上にAlGaNを主成分とするp型半導体層を形成する工程と、 Ti層とRu層の積層構造を含み、前記Ti層が前記発光層及び前記p型半導体層の一部が除去されることにより露出した前記n型半導体層に接触するnコンタクト電極を形成する工程と、 Ti層とRu層の積層構造を含み、前記p型半導体層に接触するpコンタクト電極を形成する工程と、 熱処理により前記n型半導体層と前記Ti層とをオーミック接触させる工程と、 Ru層を含む積層構造を有し、前記pコンタクト電極に接続されるp配線電極を形成する工程と、 Ru層を含む積層構造を有し、前記nコンタクト電極に接続されるn配線電極を形成する工程と、 Ru層を含む積層構造を有し、前記p配線電極に接続されるpパッド電極を形成する工程と、 Ru層を含む積層構造を有し、前記n配線電極に接続されるnパッド電極を形成する工程と、 を含み、 前記nコンタクト電極の形成において、前記Ti層をRF電源を用いたスパッタリングにより形成し、前記Ru層をガス圧力が0.4Pa以下のスパッタリングにより形成する、発光素子の製造方法。
IPC (6件)：
H01L 33/40 ( 201 0.01) ,  H01L 33/32 ( 201 0.01) ,  H01L 21/28 ( 200 6.01) ,  H01L 21/285 ( 200 6.01) ,  C23C 14/14 ( 200 6.01) ,  C23C 14/58 ( 200 6.01)
FI (7件)：
H01L 33/40 ,  H01L 33/32 ,  H01L 21/28 301 Z ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/285 S ,  C23C 14/14 D ,  C23C 14/58 A
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (8件)
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