特許
J-GLOBAL ID：202103004387459967
MIS型半導体装置およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-093745
公開番号（公開出願番号）：特開2018-190876
特許番号：特許第6955748号
出願日： 2017年05月10日
公開日（公表日）： 2018年11月29日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体層と絶縁体層と導電体層を有し、前記絶縁体層が前記半導体層と前記導電体層で挟まれたMIS型半導体装置であって、
前記半導体層はGaN、ZnS、β-Ga2O3、C、AlNの群から選ばれる少なくとも1以上の半導体を含み、
前記絶縁体層はランタンフッ化物を含み、
前記ランタンフッ化物は前記半導体層に直に接している、MIS型半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/336 ( 200 6.01)
, H01L 29/78 ( 200 6.01)
H01L 29/78 301 B
, H01L 29/78 301 G
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (8件)
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