特許
J-GLOBAL ID：202103005716682156

薄膜トランジスタ、表示装置及び薄膜トランジスタの製造方法

発明者：
田中 淳

田中 淳 について


出願人/特許権者：
天馬微電子有限公司

天馬微電子有限公司 について


代理人 (1件)： 河野 英仁
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-138874
公開番号（公開出願番号）：特開2017-085079
特許番号：特許第6821982号
出願日： 2016年07月13日
公開日（公表日）： 2017年05月18日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 絶縁性の基板と、 前記基板上に設けられており、チャネル領域と該チャネル領域よりも抵抗の低いソース領域及びドレイン領域とを含む酸化物半導体層と、 前記酸化物半導体層の上に設けられたゲート絶縁膜と、 前記ゲート絶縁膜の上に設けられたゲート電極と、 前記ゲート電極と前記ゲート絶縁膜と前記酸化物半導体層との上に設けられた膜中に水素を含有する層間絶縁膜と、 前記層間絶縁膜に設けられたコンタクトホールを介して前記ソース領域と導通するソース電極と、 前記層間絶縁膜に設けられたコンタクトホールを介して前記ドレイン領域と導通するドレイン電極と、 を有する薄膜トランジスタにおいて、 前記ゲート絶縁膜は、一層又は二層からなり、 少なくとも前記ゲート絶縁膜のいずれかの層は、前記ソース電極及び前記ドレイン電極と離れた位置にある、パターン化ゲート絶縁膜であり、 前記パターン化ゲート絶縁膜の下面のチャネル長方向の長さは、前記ゲート電極の下面のチャネル長方向の長さよりも大きく、 前記パターン化ゲート絶縁膜の上面のチャネル長方向の端部は、前記ゲート電極の下面のチャネル長方向の端部と離れており、 前記パターン化ゲート絶縁膜の下面のチャネル長方向の長さは、前記チャネル領域のチャネル長方向の長さよりも大きく、 前記ソース領域側の前記ゲート電極の端から前記ソース領域側の前記ゲート絶縁膜のうち最も小さい形状を有する最小ゲート絶縁膜の端までの距離が、前記ドレイン領域側の前記ゲート電極の端から前記ドレイン領域側の前記最小ゲート絶縁膜の端までの距離と等しく、 前記チャネル領域と前記ソース領域との境界及び前記チャネル領域と前記ドレイン領域との境界は、前記ゲート電極の下にあり、 前記ソース領域及び前記ドレイン領域の水素濃度は前記チャネル領域の水素濃度よりも高い ことを特徴とする薄膜トランジスタ。
IPC (4件)：
H01L 21/336 ( 200 6.01) ,  H01L 29/786 ( 200 6.01) ,  H01L 51/50 ( 200 6.01) ,  H05B 33/10 ( 200 6.01)
FI (8件)：
H01L 29/78 616 J ,  H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/78 617 S ,  H01L 29/78 618 G ,  H01L 29/78 617 T ,  H01L 29/78 617 U ,  H05B 33/14 A ,  H05B 33/10
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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