半導体装置の作製方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-044636
公開番号（公開出願番号）：特開2013-219336
出願日： 2013年03月06日
公開日（公表日）： 2013年10月24日
要約：

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置において、酸化物半導体膜に生じる酸素欠損を抑制する。また、酸化物半導体を用いた半導体装置において、電気特性を向上させる。【解決手段】酸化物半導体を用いた半導体装置の作製方法において、酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜上に設けられるゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜に接するゲート電極と、ゲート電極に接するサイドウォール絶縁膜と、酸化物半導体膜に接するソース電極及びドレイン電極と、を形成する工程を有し、ゲート絶縁膜及びサイドウォール絶縁膜は、酸化物半導体膜に含まれる酸素の脱離を抑制する温度、さらに好ましくは酸化物半導体膜に含まれる酸素が脱離する温度よりも低い温度で形成することである。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

絶縁表面上を有する基板上に酸化物半導体膜を形成し、前記酸化物半導体膜上に、前記酸化物半導体膜に含まれる酸素が脱離する温度よりも低い温度でゲート絶縁膜を形成し、前記ゲート絶縁膜を介して、前記酸化物半導体膜と重畳するゲート電極を形成し、前記酸化物半導体膜と電気的に接続するソース電極及びドレイン電極を形成する半導体装置の作製方法。

IPC (13件)：

H01L 21/336 , H01L 29/786 , H01L 21/824 , H01L 27/108 , H01L 27/115 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 27/11 , H01L 21/823 , H01L 27/088 , H01L 27/08 , H01L 21/316 , H01L 21/318

FI (11件)：

H01L29/78 617V , H01L29/78 618B , H01L27/10 321 , H01L27/10 434 , H01L29/78 371 , H01L27/10 381 , H01L27/10 671C , H01L27/08 102E , H01L27/08 331E , H01L21/316 X , H01L21/318 B

Fターム (153件)：

5F048AB01 , 5F048AC01 , 5F048AC10 , 5F048BA01 , 5F048BA14 , 5F048BA16 , 5F048BA19 , 5F048BA20 , 5F048BF15 , 5F048BF16 , 5F048BG06 , 5F048BG11 , 5F048CB01 , 5F048CB03 , 5F048CB04 , 5F058BC02 , 5F058BC03 , 5F058BC08 , 5F058BC09 , 5F058BC11 , 5F058BF08 , 5F058BF29 , 5F058BF30 , 5F058BF73 , 5F058BF74 , 5F083AD02 , 5F083AD21 , 5F083AD69 , 5F083EP02 , 5F083EP21 , 5F083ER21 , 5F083GA11 , 5F083HA02 , 5F083HA06 , 5F083JA02 , 5F083JA05 , 5F083JA19 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083JA42 , 5F083JA56 , 5F083JA58 , 5F083JA60 , 5F083PR12 , 5F083PR21 , 5F101BA17 , 5F101BB01 , 5F101BD12 , 5F101BD30 , 5F101BD39 , 5F101BE07 , 5F101BH02 , 5F101BH03 , 5F110AA14 , 5F110BB01 , 5F110BB03 , 5F110BB05 , 5F110BB06 , 5F110BB07 , 5F110CC01 , 5F110CC02 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD05 , 5F110DD12 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE07 , 5F110EE09 , 5F110EE11 , 5F110EE14 , 5F110EE15 , 5F110EE23 , 5F110EE32 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF05 , 5F110FF09 , 5F110FF30 , 5F110FF31 , 5F110FF35 , 5F110FF36 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG03 , 5F110GG04 , 5F110GG06 , 5F110GG07 , 5F110GG12 , 5F110GG13 , 5F110GG14 , 5F110GG15 , 5F110GG16 , 5F110GG17 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG32 , 5F110GG34 , 5F110GG43 , 5F110HJ01 , 5F110HJ12 , 5F110HJ13 , 5F110HJ23 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK07 , 5F110HK21 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110HK34 , 5F110HL01 , 5F110HL02 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL11 , 5F110HL22 , 5F110HL23 , 5F110HL24 , 5F110HM15 , 5F110NN03 , 5F110NN04 , 5F110NN05 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN28 , 5F110NN34 , 5F110NN35 , 5F110NN40 , 5F110NN72 , 5F110NN74 , 5F110NN78 , 5F110QQ11 , 5F110QQ19

引用特許：

審査官引用 (7件)

半導体装置の作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2011-095085 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
薄膜トランジスタ及びその製法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-038425 出願人：財団法人高知県産業振興センター, カシオ計算機株式会社
半導体装置、及び半導体装置の作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-284538 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

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