膜、マルチレベル素子、マルチレベル素子の製造方法、マルチレベル素子の駆動方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：井関勝守 , 金子修平
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-565729
特許番号：特許第6836604号
出願日： 2018年10月18日
請求項（抜粋）：

【請求項1】伝導帯(conduction band)内の低レベル(low level)電子エネルギー範囲でエクステンデット状態(extended state)である第1の電子状態の数の曲線を提供し、前記伝導帯内の、前記低レベル電子エネルギー範囲よりも高い高レベル(high level)電子エネルギー範囲で第2の電子状態の数の曲線を提供し、前記低レベル電子エネルギー範囲と前記高レベル電子エネルギー範囲との間で局在状態(localized state)が提供され、前記第1の電子状態の数の曲線の面積は、前記第2の電子状態の数の曲線の面積に比べて小さい、膜。

IPC (2件)：