特許
J-GLOBAL ID：201703007435893034

半導体装置、半導体装置の作製方法、および電子機器

発明者：
伊藤 大吾

伊藤 大吾 について

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石山 貴久

石山 貴久 について

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栃林 克明

栃林 克明 について

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花岡 一哉

花岡 一哉 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-092448
公開番号（公開出願番号）：特開2016-213457
出願日： 2016年05月02日
公開日（公表日）： 2016年12月15日
要約：
【課題】信頼性の高い半導体装置を提供する。【解決手段】第1の絶縁層と、第1の絶縁層上の第1の酸化物絶縁層と、第1の酸化物絶縁層上の酸化物半導体層と、酸化物半導体層上のソース電極層、およびドレイン電極層と、酸化物半導体層、ソース電極層、およびドレイン電極層上の第2の酸化物絶縁層と、第2の酸化物絶縁層上のゲート絶縁層と、ゲート絶縁層上のゲート電極層と、第1の絶縁層、ソース電極層、ドレイン電極層、第2の酸化物絶縁層、ゲート絶縁層およびゲート電極層上の第2の絶縁層と、第1の絶縁層、ソース電極層、ドレイン電極層、および第2の絶縁層上の第3の絶縁層と、を有し、第2の絶縁層は、ゲート絶縁層の上面、または側面と接する領域を有する構成とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1の絶縁層と、 前記第1の絶縁層上の第1の酸化物絶縁層と、 前記第1の酸化物絶縁層上の酸化物半導体層と、 前記酸化物半導体層上のソース電極層、およびドレイン電極層と、 前記酸化物半導体層、前記ソース電極層、および前記ドレイン電極層上の第2の酸化物絶縁層と、 前記第2の酸化物絶縁層上のゲート絶縁層と、 前記ゲート絶縁層上のゲート電極層と、 前記第1の絶縁層、前記ソース電極層、前記ドレイン電極層、前記第2の酸化物絶縁層、前記ゲート絶縁層および前記ゲート電極層上の第2の絶縁層と、 前記第1の絶縁層、前記ソース電極層、前記ドレイン電極層、および前記第2の絶縁層上の第3の絶縁層と、 を有し、 前記第2の絶縁層は、前記ゲート絶縁層の側面と接する領域を有すること、を特徴とする半導体装置。
IPC (6件)：
H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/108 ,  H01L 27/146 ,  H01L 51/50
FI (9件)：
H01L29/78 619A ,  H01L29/78 618B ,  H01L27/10 321 ,  H01L27/10 621Z ,  H01L27/10 671C ,  H01L27/10 671Z ,  H01L27/14 A ,  H01L27/14 C ,  H05B33/14 A
Fターム (165件)：
3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107CC11 ,  3K107CC14 ,  3K107CC21 ,  3K107CC33 ,  3K107EE04 ,  4M118AA04 ,  4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA05 ,  4M118BA07 ,  4M118BA14 ,  4M118CA03 ,  4M118CA05 ,  4M118CA14 ,  4M118CA22 ,  4M118CB02 ,  4M118CB05 ,  4M118CB06 ,  4M118FA06 ,  4M118FA07 ,  4M118FB24 ,  4M118FC02 ,  4M118GA02 ,  4M118GC08 ,  4M118GC09 ,  4M118GC14 ,  4M118GC20 ,  4M118GD03 ,  4M118GD04 ,  4M118HA21 ,  5F083AD02 ,  5F083AD06 ,  5F083AD21 ,  5F083AD69 ,  5F083GA05 ,  5F083GA06 ,  5F083GA09 ,  5F083GA11 ,  5F083GA21 ,  5F083GA25 ,  5F083HA02 ,  5F083HA06 ,  5F083JA02 ,  5F083JA03 ,  5F083JA04 ,  5F083JA05 ,  5F083JA06 ,  5F083JA19 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA42 ,  5F083JA43 ,  5F083JA56 ,  5F083JA60 ,  5F083LA21 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083MA19 ,  5F083NA01 ,  5F083PR07 ,  5F083PR21 ,  5F083PR33 ,  5F083PR34 ,  5F083ZA23 ,  5F083ZA25 ,  5F110AA09 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110BB05 ,  5F110BB11 ,  5F110CC01 ,  5F110CC07 ,  5F110CC10 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD08 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110DD25 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE08 ,  5F110EE14 ,  5F110EE22 ,  5F110EE30 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF10 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG04 ,  5F110GG05 ,  5F110GG06 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG14 ,  5F110GG15 ,  5F110GG16 ,  5F110GG17 ,  5F110GG19 ,  5F110GG22 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG32 ,  5F110GG34 ,  5F110GG35 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110GG58 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK34 ,  5F110HK35 ,  5F110HK42 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN05 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN40 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110NN74 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ19
引用特許：
審査官引用 (12件)
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