モノリシックに集積した量子ドット装置を有する半導体チップキャリア及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人広江アソシエイツ特許事務所
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-537841
公開番号（公開出願番号）：特表2014-502417
出願日： 2011年11月03日
公開日（公表日）： 2014年01月30日
要約：

三次元多結晶半導体物質は、50nm以下の公称最大粒径を有する個々の結晶粒を形成する主要成分と、前記個々の結晶粒間に境界を形成する副成分と、を含む。【選択図】図6B

請求項（抜粋）：

50nm以下の公称最大粒径を有する個々の結晶粒を形成する主要成分と、前記個々の結晶粒間に境界を形成する副成分と、を含むことを特徴とする三次元多結晶半導体物質。

IPC (11件)：

H01L 29/06 , H01L 29/739 , H01L 29/78 , H01L 29/12 , H01L 21/336 , H01L 29/80 , H01L 21/338 , H01L 29/778 , H01L 29/812 , H01L 29/66 , H01L 21/208

FI (9件)：

H01L29/06 601N , H01L29/78 655 , H01L29/78 652T , H01L29/78 301B , H01L29/06 601W , H01L29/80 A , H01L29/80 H , H01L29/66 T , H01L21/208 Z

Fターム (26件)：

5F053AA50 , 5F053DD01 , 5F053GG03 , 5F053HH05 , 5F053LL01 , 5F053LL10 , 5F053PP03 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD10 , 5F102GK02 , 5F102GK05 , 5F102GM02 , 5F102GM05 , 5F102GQ03 , 5F140AA00 , 5F140BA01 , 5F140BA05 , 5F140BA06 , 5F140BA07 , 5F140BA08 , 5F140BA10 , 5F140BA12 , 5F140BB18 , 5F140BF01 , 5F140BJ01

引用特許：

審査官引用 (12件)

量子デバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-062141 出願人：松下電工株式会社, 越田信義
集積電子装置用ナノクラスター基板
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-128197 出願人：独立行政法人産業技術総合研究所
光電変換装置および電子機器
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-050922 出願人：セイコーエプソン株式会社

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