特許
J-GLOBAL ID：202103011112866518

強磁性薄膜積層体

発明者：
直江 正幸

直江 正幸 について


出願人/特許権者：
公益財団法人電磁材料研究所

公益財団法人電磁材料研究所 について


代理人 (1件)： 特許業務法人創成国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2019-214280
公開番号（公開出願番号）：特開2021-086901
出願日： 2019年11月27日
公開日（公表日）： 2021年06月03日
要約：
【課題】膜面内方向に等方的な磁気特性を有し、電子機器などに使用可能な新規な構成の強磁性薄膜積層体を提供する。【解決方法】基板上に、第1磁気ユニット、層間絶縁膜及び第2磁気ユニットがこの順に積層された強磁性薄膜積層体である。第1磁気ユニットは磁性層と絶縁層とが交互に積層された周期的多層構造の第1ナノグラニュラー膜であり、第2磁気ユニットは第2ナノグラニュラー膜である。第1磁気ユニットの磁化方向と第2磁気ユニットの磁化方向とは直交している。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板上に、第1磁気ユニット、層間絶縁膜及び第2磁気ユニットがこの順に積層された強磁性薄膜積層体であって、 前記第1磁気ユニットは、(M1aM2b)1-X(L1cFd)X(M1:Fe,Co,及びNiからなる群より選ばれる少なくとも一種、M2:Pd及びPtの少なくとも一種、L1:Li,Mg,Al,Ca,Sr,Ba,Gd及びYからなる群より選ばれる少なくとも一種、0.5≦a≦1.0、0≦b≦0.5(a+b=1)、0.2≦c≦0.4、0.6≦d≦0.8(c+d=1)、0.15≦X≦0.55(全て原子比率))なる組成を有する膜面内一軸磁気異方性の第1ナノグラニュラー膜であり、 前記第2磁気ユニットは、(M3hM4i)1-Y(L2jFk)Y(M3:Fe,Co,及びNiからなる群より選ばれる少なくとも一種、M4:Pd及びPtの少なくとも一種、L2:Li,Mg,Al,Ca,Sr,Ba,Gd及びYからなる群より選ばれる少なくとも一種、0.5≦h≦1.0、0≦i≦0.5(h+i=1)、0.2≦j≦0.4、0.6≦k≦0.8(j+k=1)、0.15≦Y≦0.55(全て原子比率))なる組成を有する膜面内一軸磁気異方性の第2ナノグラニュラー膜であり、 前記第1磁気ユニットの膜面内磁化容易方向と前記第2磁気ユニットの膜面内磁化容易方向とが直交していることを特徴とする、強磁性薄膜積層体。
IPC (3件)：
H01F 10/16 ,  H01F 10/28 ,  H01F 17/04
FI (3件)：
H01F10/16 ,  H01F10/28 ,  H01F17/04 F
Fターム (9件)：
5E049AA04 ,  5E049AC05 ,  5E049BA11 ,  5E049CB02 ,  5E049DB02 ,  5E049DB14 ,  5E049GC04 ,  5E070AA01 ,  5E070BB01
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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