特許
J-GLOBAL ID：201403019103160640

高電気抵抗強磁性薄膜

発明者：
小林 伸聖

小林 伸聖 について

, 
岩佐 忠義

岩佐 忠義 について

, 
直江 正幸

直江 正幸 について


出願人/特許権者：
公益財団法人電磁材料研究所

公益財団法人電磁材料研究所 について


代理人 (1件)： 村井 卓雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-049497
公開番号（公開出願番号）：特開2014-175617
出願日： 2013年03月12日
公開日（公表日）： 2014年09月22日
要約：
【課題】GH帯域において透磁率が安定していることが要求される電子部品に適した磁性薄膜を提供する。【解決手段】一軸磁気異方性を有する強磁性薄膜の組成は一般式L100-a-bMaFbで示され、LはFe,Coおよび/またはNiであり、MはLi、Be、Mg、Al、Ca、Sr、Baおよび/またはYであり、Fはフッ素であり、かつ組成比a、bは原子比率であり、aが9%以上50%以下、bの原子比率が16%以上60%以下であり、かつa+bの合計の原子比率が25%以上70%以下である。薄膜の電気抵抗率が1.5×103μohm・cm以上、飽和磁化が5kG以上、かつ異方性磁界が10Oe以上である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
一般式L100-a-bMaFbで示され、LはFe、CoおよびNiから選択される1種以上の元素であり、MはLi、Be、Mg、Al、Ca、Sr、BaおよびYから選択される少なくとも1種以上の元素であり、Fはフッ素であり、かつ組成比a,bは原子比率であり、aが9%以上50%%以下、bの原子比率が16% 以上60%以下であり、かつa+bの合計の原子比率が25%以上70%以下であるとともに、電気抵抗率が1.5×103 μohm・cm以上、飽和磁化が5 kG以上、かつ異方性磁界が10 Oe以上であることを特徴とする一軸磁気異方性を有する強磁性薄膜。
IPC (1件)：
H01F 10/16
FI (1件)：
H01F10/16
Fターム (8件)：
5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AA07 ,  5E049AB09 ,  5E049AC10 ,  5E049BA11 ,  5E049BA29 ,  5E049GC04
引用特許：
出願人引用 (6件)
全件表示
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM