選択成膜方法

発明者： , , , , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：高山宏志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2020-080178
公開番号（公開出願番号）：特開2021-174960
出願日： 2020年04月30日
公開日（公表日）： 2021年11月01日
要約：

【課題】簡易な手法で汎用性が高い選択成膜方法を提供する。【解決手段】選択成膜方法は、第1の表面を有する第1の膜と、第2の表面を有する第1の膜とは異なる第2の膜とを含む基板を準備する工程と、第2級アルコールガスおよび/または第3級アルコールガスを第2の表面に選択的に吸着させる工程と、少なくとも原料ガスを供給して第1の表面に選択的に膜を形成する工程とを有する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1の表面を有する第1の膜と、第2の表面を有する前記第1の膜とは異なる第2の膜とを含む基板を準備する工程と、第2級アルコールガスおよび/または第3級アルコールガスを前記第2の表面に選択的に吸着させる工程と、少なくとも原料ガスを供給して前記第1の表面に選択的に膜を形成する工程と、を有する選択成膜方法。

IPC (6件)：

H01L 21/316 , H01L 21/768 , H01L 21/28 , H01L 21/283 , C23C 16/02 , C23C 16/04

FI (7件)：

H01L21/316 , H01L21/90 A , H01L21/28 A , H01L21/283 B , H01L21/90 P , C23C16/02 , C23C16/04

Fターム (80件)：

4K030AA11 , 4K030AA12 , 4K030AA14 , 4K030AA17 , 4K030AA24 , 4K030BA01 , 4K030BA05 , 4K030BA10 , 4K030BA18 , 4K030BA38 , 4K030BA40 , 4K030BA42 , 4K030BA43 , 4K030BA44 , 4K030BA46 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030DA02 , 4K030DA09 , 4K030EA01 , 4K030EA03 , 4K030EA11 , 4K030FA01 , 4K030FA10 , 4K030HA01 , 4K030JA10 , 4K030LA02 , 4K030LA15 , 4M104AA01 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB14 , 4M104BB30 , 4M104DD02 , 4M104DD22 , 4M104DD43 , 4M104DD46 , 4M104EE16 , 4M104EE17 , 5F033HH07 , 5F033HH08 , 5F033HH11 , 5F033HH15 , 5F033HH18 , 5F033HH33 , 5F033KK07 , 5F033KK08 , 5F033KK11 , 5F033KK15 , 5F033KK18 , 5F033KK33 , 5F033NN03 , 5F033PP02 , 5F033PP08 , 5F033PP33 , 5F033QQ53 , 5F033QQ73 , 5F033RR02 , 5F033RR03 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033SS03 , 5F033SS11 , 5F033WW03 , 5F033XX00 , 5F058BA20 , 5F058BC02 , 5F058BC03 , 5F058BC04 , 5F058BC08 , 5F058BC09 , 5F058BC10 , 5F058BE10 , 5F058BF06 , 5F058BF23 , 5F058BF27 , 5F058BF29 , 5F058BF37 , 5F058BF54 , 5F058BJ04

引用特許：

審査官引用 (7件)

アルコールの選択的還元および保護による選択的堆積
公報種別：公表公報出願番号：特願2017-511206 出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-176512 出願人：富士通セミコンダクター株式会社
銅への改善された接着性および銅エレクトロマイグレーション耐性
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-072147 出願人：エアプロダクツアンドケミカルズインコーポレイテッド

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