特許
J-GLOBAL ID:202103018960856810

単結晶製造装置及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 友野 英三
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2016-217588
公開番号(公開出願番号):特開2018-076193
特許番号:特許第6899555号
出願日: 2016年11月07日
公開日(公表日): 2018年05月17日
請求項(抜粋):
【請求項1】雰囲気を制御する容器と、 前記容器に周設された高周波誘導加熱コイルと、 前記容器に内設された断熱容器と、 前記断熱容器底部に挿設された支持台と、 前記支持台に載置された原料融液を貯留する坩堝と、 前記坩堝に立設されたスリットが形成されたダイと、 種結晶を保持し、昇降可能なシャフトとを備えた融液成長法の単結晶製造装置において、 前記坩堝及び前記ダイが、イリジウム製であり、 前記ダイが、複数のスリット及び凹凸の両方を備える凹凸状不整面の上端面が形成された円柱状であり、 前記ダイの上端面の円の直径の偏差が、前記円の平均直径の20%以下であり、 前記シャフト及び/又は前記支持台が回転可能であることを特徴とする単結晶製造装置。
IPC (2件):
C30B 15/34 ( 200 6.01) ,  C30B 29/16 ( 200 6.01)
FI (2件):
C30B 15/34 ,  C30B 29/16
引用特許:
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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