高精度にサイズ制御した単電子デバイスの開発

体系的課題番号：JPMJCR08M4
実施期間：2008 - 2013
実施機関 (1件)：
研究代表者： ( , 大学院理工学研究科, 准教授 )
DOI： https://doi.org/10.52926/JPMJCR08M4
研究概要：

無電解メッキの自己停止機能を用いてギャップ長を高精度に制御した5nm以下のナノギャップ電極を一度に高い歩留まりで作製するプロセスを確立し、分子構造を精密に規定することが可能な金属クラスターおよび金属錯体分子ワイヤーを単電子島としてナノギャップ電極間に選択的に集積することにより、常温で確実に動作する「高精度にサイズ制御した単電子デバイス」により論理回路を構築するための製造技術を確立します。