特許
J-GLOBAL ID：201903004447044178
窒化物結晶基板および窒化物結晶基板の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
,
代理人 (2件)：
福岡 昌浩
, 橘高 英郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-094775
公開番号（公開出願番号）：特開2019-199376
出願日： 2018年05月16日
公開日（公表日）： 2019年11月21日
要約：
【課題】窒化物結晶基板中のキャリア濃度および移動度のうち少なくともいずれかを略均一に分布させることができる技術を提供する。【解決手段】主面を有し、III族窒化物の結晶からなる窒化物結晶基板であって、反射型フーリエ変換赤外分光法により測定される主面の反射率に基づいて求められる窒化物結晶基板の主面側のキャリア濃度をNIRとし、窒化物結晶基板の比抵抗と渦電流法により測定される窒化物結晶基板の移動度とに基づいて求められる窒化物結晶基板中のキャリア濃度をNElecとしたときに、キャリア濃度NElecに対する主面の中央におけるキャリア濃度NIRとの比率NIR/NElecは、式(1)(0.5≦NIR/NElec≦1.5)を満たす。【選択図】図7
請求項（抜粋）：
主面を有し、III族窒化物の結晶からなる窒化物結晶基板であって、
反射型フーリエ変換赤外分光法により測定される前記主面の反射率に基づいて求められる前記窒化物結晶基板の前記主面側のキャリア濃度をNIRとし、前記窒化物結晶基板の比抵抗と渦電流法により測定される前記窒化物結晶基板の移動度とに基づいて求められる前記窒化物結晶基板中のキャリア濃度をNElecとしたときに、
前記キャリア濃度NElecに対する前記主面の中央における前記キャリア濃度NIRとの比率NIR/NElecは、式(1)を満たす
窒化物結晶基板。
0.5≦NIR/NElec≦1.5 ・・・(1)
IPC (3件)：
C30B 29/38
, C30B 25/16
, C23C 16/34
C30B29/38 D
, C30B25/16
, C23C16/34
4G077AA03
, 4G077AB01
, 4G077AB08
, 4G077BE15
, 4G077DB05
, 4G077EB01
, 4G077EF03
, 4G077EH05
, 4G077HA06
, 4G077HA12
, 4G077TA04
, 4G077TA08
, 4G077TB03
, 4G077TC02
, 4G077TJ06
, 4G077TJ16
, 4G077TK02
, 4G077TK08
, 4G077TK11
, 4K030AA03
, 4K030AA13
, 4K030AA17
, 4K030AA18
, 4K030BA08
, 4K030BA38
, 4K030BB02
, 4K030CA05
, 4K030CA12
, 4K030DA03
, 4K030EA01
, 4K030EA05
, 4K030EA06
, 4K030FA10
, 4K030GA02
, 4K030JA06
, 4K030JA09
, 4K030JA10
, 4K030LA14
, 5F045AA00
, 5F045AA04
, 5F045AB14
, 5F045AC08
, 5F045AC12
, 5F045AC13
, 5F045AC15
, 5F045AC19
, 5F045AD14
, 5F045AD15
, 5F045AD16
, 5F045AE25
, 5F045AE30
, 5F045AF03
, 5F045AF04
, 5F045AF09
, 5F045AF12
, 5F045AF13
, 5F045BB04
, 5F045BB12
, 5F045DA53
, 5F045DA60
, 5F045DA62
, 5F045DA67
, 5F045DA69
, 5F045DP04
, 5F045DP28
, 5F045DQ08
, 5F045DQ10
, 5F045EF02
, 5F045EF09
, 5F045EK06
, 5F045EK22
, 5F045GB01
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (9件)
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引用文献：
出願人引用 (1件)
-
技術紹介と資料ダウンロード〜電気抵抗測定の原理〜, 20220121
審査官引用 (2件)
-
技術紹介と資料ダウンロード〜電気抵抗測定の原理〜, 20220121
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技術紹介と資料ダウンロード〜電気抵抗測定の原理〜, 20220121
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