特許

J-GLOBAL ID：201903004447044178

窒化物結晶基板および窒化物結晶基板の製造方法

発明者： 堀切 文正 ,  木村 健
出願人/特許権者： 株式会社サイオクス ,  住友化学株式会社
代理人 (2件)： 福岡 昌浩 ,  橘高 英郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-094775
公開番号（公開出願番号）：特開2019-199376
出願日： 2018年05月16日
公開日（公表日）： 2019年11月21日
要約：

【課題】窒化物結晶基板中のキャリア濃度および移動度のうち少なくともいずれかを略均一に分布させることができる技術を提供する。【解決手段】主面を有し、III族窒化物の結晶からなる窒化物結晶基板であって、反射型フーリエ変換赤外分光法により測定される主面の反射率に基づいて求められる窒化物結晶基板の主面側のキャリア濃度をNIRとし、窒化物結晶基板の比抵抗と渦電流法により測定される窒化物結晶基板の移動度とに基づいて求められる窒化物結晶基板中のキャリア濃度をNElecとしたときに、キャリア濃度NElecに対する主面の中央におけるキャリア濃度NIRとの比率NIR/NElecは、式(1)(0.5≦NIR/NElec≦1.5)を満たす。【選択図】図7

請求項（抜粋）：

主面を有し、III族窒化物の結晶からなる窒化物結晶基板であって、 反射型フーリエ変換赤外分光法により測定される前記主面の反射率に基づいて求められる前記窒化物結晶基板の前記主面側のキャリア濃度をNIRとし、前記窒化物結晶基板の比抵抗と渦電流法により測定される前記窒化物結晶基板の移動度とに基づいて求められる前記窒化物結晶基板中のキャリア濃度をNElecとしたときに、 前記キャリア濃度NElecに対する前記主面の中央における前記キャリア濃度NIRとの比率NIR/NElecは、式(1)を満たす 窒化物結晶基板。 0.5≦NIR/NElec≦1.5 ・・・(1)

IPC (3件)：

C30B 29/38 ,  C30B 25/16 ,  C23C 16/34

FI (3件)：

C30B29/38 D ,  C30B25/16 ,  C23C16/34

Fターム (72件)：

4G077AA03 ,  4G077AB01 ,  4G077AB08 ,  4G077BE15 ,  4G077DB05 ,  4G077EB01 ,  4G077EF03 ,  4G077EH05 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G077TA04 ,  4G077TA08 ,  4G077TB03 ,  4G077TC02 ,  4G077TJ06 ,  4G077TJ16 ,  4G077TK02 ,  4G077TK08 ,  4G077TK11 ,  4K030AA03 ,  4K030AA13 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030BB02 ,  4K030CA05 ,  4K030CA12 ,  4K030DA03 ,  4K030EA01 ,  4K030EA05 ,  4K030EA06 ,  4K030FA10 ,  4K030GA02 ,  4K030JA06 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030LA14 ,  5F045AA00 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC13 ,  5F045AC15 ,  5F045AC19 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AD16 ,  5F045AE25 ,  5F045AE30 ,  5F045AF03 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045AF12 ,  5F045AF13 ,  5F045BB04 ,  5F045BB12 ,  5F045DA53 ,  5F045DA60 ,  5F045DA62 ,  5F045DA67 ,  5F045DA69 ,  5F045DP04 ,  5F045DP28 ,  5F045DQ08 ,  5F045DQ10 ,  5F045EF02 ,  5F045EF09 ,  5F045EK06 ,  5F045EK22 ,  5F045GB01

引用特許：

審査官引用 (9件)

• III-V族窒化物系半導体基板及びIII-V族窒化物系発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-222407   出願人：日立電線株式会社
• III族窒化物半導体結晶基板および半導体デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-300460   出願人：住友電気工業株式会社
• 薄膜撮像方法および装置
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2011-516928   出願人：ビーティーイメージングピーティーワイリミテッド
• 導電性III族窒化物結晶の製造方法、導電性III族窒化物基板の製造方法及び導電性III族窒化物基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-011123   出願人：日立電線株式会社
• 金属塩化物ガスの発生装置および金属塩化物ガスの発生方法、並びに、ハイドライド気相成長装置、窒化物半導体ウエハ、窒化物半導体デバイス、窒化物半導体発光ダイオード用ウエハ、窒化物半導体自立基板の製造方法および窒化物半導体結晶
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-121737   出願人：日立電線株式会社
• 窒化物系半導体基板及び半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-350749   出願人：日立電線株式会社
• 窒化物半導体基板の製造方法及び窒化物半導体自立基板の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-251796   出願人：日立電線株式会社
• 補償シリコンサンプルのドーパント含有量の特定
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2014-522127   出願人：コミサリアアレネルジーアトミックエオゼネルジーアルテルナティブ
• テラヘルツ波帯用の窓部材、試料容器、検出発生装置、基板材料、並びに、単結晶シリコンカーバイドの透過特性の算出方法及び評価方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-296356   出願人：独立行政法人情報通信研究機構, 国立大学法人徳島大学

引用文献：

審査官引用 (1件)

• 技術紹介と資料ダウンロード〜電気抵抗測定の原理〜, 20220121