特許
J-GLOBAL ID：202203010289680237
炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
酒井 昭徳
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-014191
公開番号（公開出願番号）：特開2019-134046
特許番号：特許第7004586号
出願日： 2018年01月30日
公開日（公表日）： 2019年08月08日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 順方向に電流が流れるpn接合を有する炭化珪素半導体装置であって、 炭化珪素からなる第1導電型の半導体基板と、 前記半導体基板の一方の主面に設けられた、炭化珪素からなる第1の第1導電型エピタキシャル層と、 前記第1の第1導電型エピタキシャル層の、前記半導体基板側に対して反対側の表面に設けられた、前記第1の第1導電型エピタキシャル層よりも第1導電型不純物濃度の低い炭化珪素からなる第2の第1導電型エピタキシャル層と、 前記第2の第1導電型エピタキシャル層の、前記半導体基板側に対して反対側に設けられ、前記第2の第1導電型エピタキシャル層に接して前記pn接合を形成する、炭化珪素からなる第2導電型層と、 を備え、 前記第1の第1導電型エピタキシャル層は、第1導電型ドーパントとなる第1元素と、再結合中心を形成する第2元素と、を不純物として含み、 前記第1の第1導電型エピタキシャル層の前記第1元素の最大濃度は、1.0×1018/cm3以上1.0×1019/cm3未満であり、 前記第1の第1導電型エピタキシャル層の前記第2元素の最大濃度は、1.0×1014/cm3以上5.0×1018/cm3未満でかつ前記第1の第1導電型エピタキシャル層の前記第1元素の最大濃度以下であり、 前記第1の第1導電型エピタキシャル層の前記第2元素の濃度は、前記第1の第1導電型エピタキシャル層の、前記半導体基板との界面側の第1部分よりも、前記第2の第1導電型エピタキシャル層との界面側の第2部分で低くなっており、前記第1の第1導電型エピタキシャル層の前記第1部分の厚さは0.1μm以上5μm以下であることを特徴とする炭化珪素半導体装置。
IPC (8件)：
H01L 29/861 ( 200 6.01)
, H01L 29/868 ( 200 6.01)
, H01L 21/329 ( 200 6.01)
, H01L 21/20 ( 200 6.01)
, H01L 21/205 ( 200 6.01)
, C30B 29/36 ( 200 6.01)
, C30B 25/20 ( 200 6.01)
, C23C 16/42 ( 200 6.01)
H01L 29/91 J
, H01L 29/91 F
, H01L 29/91 A
, H01L 21/20
, H01L 21/205
, C30B 29/36 A
, C30B 25/20
, C23C 16/42
