特許
J-GLOBAL ID：202203014207332410
低酸素含有シリコンを生産するシステム及び方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
山尾 憲人
, 柳橋 泰雄
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-528049
特許番号：特許第6987057号
出願日： 2016年12月01日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 シリコンインゴットを生産する方法であって、
るつぼの溶融したシリコンを備える溶融物から種結晶を引き抜いて、シリコンインゴットを形成することであって、前記るつぼは、カスプ磁場を含む、真空チャンバに封入される、シリコンインゴットを形成することと、
少なくとも1つのプロセスパラメータを調整することであって、前記少なくとも1つのプロセスパラメータを調整することは、るつぼ回転率を調整することを備え、前記少なくとも1つのプロセスパラメータは、少なくとも2つのステージで調整され、
前記少なくとも2つのステージは、
中間インゴット長さまでの、前記シリコンインゴットの形成に対応する第1のステージと、
前記中間インゴット長さから総インゴット長さの、前記シリコンインゴットの形成に対応する第2のステージと、を備え、
前記第1のステージは、中間成長ステージであり、
前記第2のステージは、後半本体成長ステージであり、
前記中間成長ステージから前記後半本体成長ステージへの遷移は、前記るつぼ内の前記溶融物の深さを決定することによって、または前記溶融物の初期質量の約50%未満が前記るつぼに残っていることを決定することによって識別され、
前記第1のステージの間、前記るつぼ回転率を調整することは、前記第1のステージの間、1.3rpmから2.2rpmにるつぼ回転率を調整することを備え、
前記第2のステージの間、前記るつぼ回転率を調整することは、前記るつぼ回転率を減らすことを備え、
前記るつぼ回転率は、前記第2のステージの間、0.5rpmから1.7rpmである、方法。
IPC (2件)：
C30B 29/06 ( 200 6.01)
, C30B 15/20 ( 200 6.01)
C30B 29/06 502 G
, C30B 29/06 502 J
, C30B 15/20
