特許
J-GLOBAL ID：202303000033187519
積層構造体、半導体装置及び積層構造体の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2023-100733
公開番号（公開出願番号）：特開2023-112045
出願日： 2023年06月20日
公開日（公表日）： 2023年08月10日
要約：
【課題】
表面が平滑なコランダム構造を有する結晶性酸化物膜を含み、半導体装置に適用した場合に半導体特性の優れた積層構造体を提供することを目的とする。
【解決手段】
下地基板と、コランダム構造を有する結晶性酸化物膜とを有する積層構造体であって、前記結晶性酸化物膜が、不純物として少なくとも炭素(C)を含み、前記結晶性酸化物膜の二乗平均平方根粗さ(RMS)が0.1μm以下である積層構造体。
【選択図】図1
請求項（抜粋）：
コランダム構造を有する第一の結晶性酸化物膜と、コランダム構造を有する第二の結晶性酸化物膜とを含む積層構造体であって、
前記第二の結晶性酸化物膜の上に前記第一の結晶性酸化物膜を有し、
前記第一及び第二の結晶性酸化物膜は膜の中に金属元素を含み、該金属元素中のガリウムの原子比は0.5以上であり、
前記第二の結晶性酸化物膜が、不純物として少なくとも炭素(C)を含むものであり、
前記第二の結晶性酸化物膜中のC濃度が2×10
17
~2×10
20
/cm
3
であり、
前記第一の結晶性酸化物膜がドーパントを含むものであることを特徴とする積層構造体。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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