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J-GLOBAL ID:200901082359931330   Update date: Nov. 01, 2024

Otani Yohei

オウタニ ヨウヘイ | Otani Yohei
Affiliation and department:
Research field  (1): Electric/electronic material engineering
Research keywords  (1): Deposition of thin films
Research theme for competitive and other funds  (9):
  • 2023 - 2026 Investigation of physical structure model of high-k/Ge interface affected by process temperatures
  • 2022 - 2023 Investigation of physical structure model of high-k/Ge interface affected by fabrication processes
  • 2021 - 2022 Investigation of physical structure model of high-k/Ge interface affected by fabrication processes
  • 2020 - 2021 Investigation of physical structure model of high-k/Ge interface affected by fabrication processes
  • 2017 - 2020 Study of the effect of post-deposition processing on various type high-k/Ge structure
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Papers (40):
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MISC (8):
  • Hiroshi Okamoto, Daichi Yamada, Hidefumi Narita, Yohei Otani, Chiaya Yamamoto, Junji Yamanaka, Tetsuya Sato, Yukio Fukuda. Effect of postdeposition treatments on the electrical properties of Al2O3/GeO2 gate stack grown on Ge substrate by radical-enhanced atomic layer deposition. Extended abstract of 9th International Workshop on New group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration". 2016. I-04-7-I-04-8
  • Takuro Iwasaki, Toshiro Ono, Yohei Otani, Yukio Fukuda, Hiroshi Okamoto. Interface State Density Evaluation of p-Type and n-Type Ge/GeNx Structures by Conductance Technique. ELECTRONICS AND COMMUNICATIONS IN JAPAN. 2015. 98. 6. 8-15
  • 簗池昴生, 横平知也, 山田大地, 王谷洋平, 柳ビョンハク, 関渓太, 佐藤哲也, 福田幸夫. RE-ALD形成Al2O3/GeO2/p-Geの電気的特性に及ぼす熱処理と酸素ラジカル照射の効果. 応用物理学会第20回ゲートスタック研究会特別報告書. 2015. 193-196
  • 石崎博基, 梁池昂生, 関渓太, 滝澤蓮, 花田毅広, 王谷洋平, 山本千綾, 山中淳二, 佐藤哲也, 福田幸夫. マイクロ波リモートプラズマ-ALD法によるSi基板上のHfO/HfSixOy薄膜の作製および評価. 第18回ゲートスタック研究会 特別研究会研究報告書. 2013. 123-126
  • 梁池昂生, 関渓太, 滝澤蓮, 花田毅広, 石崎博基, 王谷洋平, 佐藤哲也, 福田幸夫. ALD法によりSi(100)基板上に成膜したHfO2薄膜のマイクロ波リモート酸素プラズマ照射による特性改善. 第18回ゲートスタック研究会 特別研究会研究報告書. 2013. 143-146
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Books (2):
  • 無機材料の表面処理・改質技術と将来展望-金属,セラミックス,ガラス-
    シーエムシー出版 2007 ISBN:9784882316978
  • エレクトロニクス用 セラミックスの製造プロセスと応用技術《大全集》
    技術情報協会 2007
Lectures and oral presentations  (82):
  • Fabrication and I-V characteristic evaluation of Pt/TiO2/Ge capacitors
    (15th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 2024)
  • Cryogenic oxidation of Si and Ge substrates using Ar/O2 DC discharge plasma irradiation
    (The 85th JSAP Autumn Meeting 2024 2024)
  • Characteristics of thin films deposited on Ge substrates at ultra low temperatures
    (FY 2023 RIEC Annual Meeting on Cooperative Research Projects 2024)
  • Fabrication of Al2O3 film on Ge substrate at 190K and its electrical properties
    (14th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 2023)
  • Electrical Properties of Al2O3 Thin Films Deposited on p-type Ge Substrates
    (The 70th JSAP Spring Meeting 2023 2023)
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Education (2):
  • - 2006 Nara Institute of Science and Technology Graduate School of Materials Science Material Science
  • - 2001 Kyoto University Faculty of Engineering Industrial Chemistry
Professional career (1):
  • Doctor(engineering) (Nara Institute of Science and Technology)
Work history (4):
  • 2008 - 2012 Tokyo University of Science, Suwa Junior Associate Professor
  • 2012 - Tokyo University of Science, Suwa Associate Professor
  • 2007 - 2008 Tokyo University of Science, Suwa Assistant Professor
  • 2006 - 2007 Tokyo University of Science, Suwa Research Associate
Committee career (6):
  • 2017/06 - 現在 長野県 下諏訪町 まち・ひと・しごと創生有識者会議委員
  • 2013/04 - 現在 茅野市教育委員会 茅野市公民館運営審議会委員
  • 2018/04 - 2022/03 公益社団法人 応用物理学会 代議員
  • 2020/10 - 2021/03 長野県 下諏訪町 下諏訪町総合計画審議会委員
  • 2017/05 - 2020/05 公益社団法人 日本セラミックス協会 協会誌編集委員
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Awards (1):
  • 2006/09/19 - 日本セラミックス協会第19回秋季シンポジウム 「誘電材料の新展開-ナノ構造制御と新材料設計-」 シンポジウムポスター奨励賞
Association Membership(s) (4):
MRS-J ,  The Ceramic Society of Japan ,  The Society of Chemical Engineers, Japan ,  The Japan Society of Applied Physics
※ Researcher’s information displayed in J-GLOBAL is based on the information registered in researchmap. For details, see here.

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