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J-GLOBAL ID：201801000870230794
Update date: Feb. 14, 2024
Makihara Katsunori
マキハラ カツノリ | Makihara Katsunori
Affiliation and department：
Job title：
Associate professor
Homepage URL (1)：
http://www.nuee.nagoya-u.ac.jp/labs/miyazakilab/
Research field (1)：
Electronic devices and equipment
Research keywords (1)：
Si系量子ドット
Research theme for competitive and other funds (21)：
- 2022 - 2025 ゲルマニウム二次元結晶のヘテロ構造形成と電子物性制御
- 2021 - 2024 ハイブリッドスーパーアトム創成による量子物性制御と新機能デバイス開発
- 2019 - 2023 Si-Ge系スーパーアトムの内部ポテンシャル変調による量子機能材料創成
- 2020 - 2022 Formation of Ge two-dimensional crystals embedded into Si oxide and its device application
- 2019 - 2021 Alignment Control of Self-ordered Nanodots for Novel Functional Devices
- 2019 - 2020 一次元連結磁性合金ナノドットのスピン物性制御と新機能メモリ開発
- 2017 - 2019 Formation of Valency Controlled Multiple Stacked Si Quantum Dots Structure and Its Application to Functional Devices
- 2016 - 2019 Formation of Fe-based Hybrid-Nanodots and Their Magnetoelectronic Transport Properties
- 2015 - 2019 Formation of Self-Aligned Super-Atom-like Si-Ge based Quantum Dots and Characterization of Their Optical and Electrical Properties
- 2015 - 2019 Si-Ge系スーパーアトム構造のセルフアライン集積による光・電子物性制御
- 2015 - 2018 Synthesis of New Group IV Two Dimensional Materials
- 2015 - 2018 Switching properties of resistive change memory with tiny limited space for conducting filament formation
- 2015 - 2016 磁性合金ナノドットハイブリッド集積によるスピン物性制御と新機能メモリ応用
- 2013 - 2016 Control of carrier transport properties of one-dimensionally aligned-hybrid nanodots and their application to light emitting devices
- 2012 - 2015 Alignment Control and Electrical Coupling of High-density Si-based Quantum Dots
- 2013 - 2015 一次元連結ハイブリッドドットのキャリア輸送・保持制御と高効率発光デバイス創成
- 2012 - 2014 シリコン系スーパーアトムの超高密度配列と量子物性制御
- 2009 - 2011 価電子制御シリコン系量子ドット立体集積構造における高輝度エレクトロルミネッセンス
- 2009 - 2010 Bright Electroluminescence from Multiple-Stacked Structure of Valency Controlled Si-based Quantum Dots
- 2007 - 2009 精密電子制御したシリコン系ナノ結晶の立体集積構造作成と光電子融合デバイス応用
- 2006 - 2008 精密電子制御したシリコン系ナノ結晶の立体集積構造作成と光電子融合デバイス応用
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Papers (172)：
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Yuki Imai, Ryoya Tsuji, Katsunori Makihara, Noriyuki Taoka, Akio Ohta, Seiichi Miyazaki. Alignment control of self-assembling Si quantum dots. MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING. 2023. 162
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Katsunori Makihara, Yuji Yamamoto, Yuki Imai, Noriyuki Taoka, Markus Andreas Schubert, Bernd Tillack, Seiichi Miyazaki. Room Temperature Light Emission from Superatom-like Ge-Core/Si-Shell Quantum Dots. NANOMATERIALS. 2023. 13. 9
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Shunsuke Nishimura, Noriyuki Taoka, Akio Ohta, Katsunori Makihara, Seiichi Miyazaki. Formation of ultra-thin NiGe film with single crystalline phase and smooth surface. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2023. 62. SC
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Taiki Sakai, Akio Ohta, Keigo Matsushita, Noriyuki Taoka, Katsunori Makihara, Seiichi Miyazaki. Evaluation of chemical structure and Si segregation of Al/Si(111). JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2023. 62. SC
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Taisei Nagai, Noriyuki Taoka, Akio Ohta, Katsunori Makihara, Seiichi Miyazaki. Effects of Cl passivation on Al2O3/GaN interface properties. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2023. 62. SA
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MISC (151)：
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Akio Ohta, Nguyen Xuan Truyen, Nobuyuki Fujimura, Mitsuhisa Ikeda, Katsunori Makihara, Seiichi Miyazaki. Total photoelectron yield spectroscopy of energy distribution of electronic states density at GaN surface and SiO2/GaN interface. Japanese Journal of Applied Physics. 2018. 57. 6
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Taishi Yamamoto, Noriyuki Taoka, Akio Ohta, Nguyen Xuan Truyen, Hisashi Yamada, Tokio Takahashi, Mitsuhisa Ikeda, Katsunori Makihara, Mitsuaki Shimizu, Seiichi Miyazaki. Low-temperature formation of Ga-oxide/GaN interface with remote oxygen plasma and its interface properties. Japanese Journal of Applied Physics. 2018. 57. 6
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Nguyen Xuan Truyen, Noriyuki Taoka, Akio Ohta, Katsunori Makihara, Hisashi Yamada, Tokio Takahashi, Mitsuhisa Ikeda, Mitsuaki Shimizu, Seiichi Miyazaki. Interface properties of SiO2/GaN structures formed by chemical vapor deposition with remote oxygen plasma mixed with Ar or He. Japanese Journal of Applied Physics. 2018. 57. 6
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Akio Ohta, Yusuke Kato, Mitsuhisa Ikeda, Katsunori Makihara, Seiichi Miyazaki. Evaluation of resistive switching properties of Si-rich oxide embedded with Ti nanodots by applying constant voltage and current. Japanese Journal of Applied Physics. 2018. 57. 6
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Taishi Yamamoto, Noriyuki Taoka, Akio Ohta, Nguyen Xuan Truyen, Hisashi Yamada, Tokio Takahashi, Mitsuhisa Ikeda, Katsunori Makihara, Osamu Nakatsuka, Mitsuaki Shimizu, et al. Energy band structure and electrical properties of Ga-oxide/GaN interface formed by remote oxygen plasma. Japanese Journal of Applied Physics. 2018. 57. 6
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Patents (10)：
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半導体薄膜およびその製造方法
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結晶半導体の製造方法およびそれを用いた半導体素子の製造方法
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半導体製造装置、ゲルマニウムドットの製造方法およびそれを用いた半導体メモリの製造方法
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金属ドットの製造方法およびそれを用いた半導体メモリの製造方法
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発光素子およびその製造方法
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Lectures and oral presentations (660)：
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Ge量子ドット像のXANAMによるX線エネルギー依存性測定
(第67回応用物理学会春季学術講演会 2020)
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Sapphire(0001)上にスパッタ形成したGe薄膜の結晶化
(第67回応用物理学会春季学術講演会 2020)
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Reduced-Pressure CVDによるGeコアSi量子ドットの高密度一括形成と発光特性評価
(第67回応用物理学会春季学術講演会 2020)
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グラフェン電極を用いたSi量子ドット多重集積構造からの電界電子放出
(第67回応用物理学会春季学術講演会 2020)
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Al/Ge(111)の表面偏析制御による極薄Ge結晶形成
(第67回応用物理学会春季学術講演会 2020)
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Education (1)：
- 2003 - 2006 Hiroshima University
Professional career (1)：
Work history (6)：
Awards (7)：
- 2012/03/15 - 公益社団法人 応用物理学会 第31回(2011年秋季)応用物理学会講演奨励賞
- 2012/03/08 - ISPlasma2012 Organizing Committee Chair ISPlasma2012 Best Presentation Award
- 2008/12/13 - The IUMRS International Conference in Asia 2008 (IUMRS-ICA 2008) Award for Encouragement of Research in Materials Science : The Materials Research Society of Japan (MRS-J)
- 2006/03/23 - 広島大学 広島大学学生表彰
- 2005/12/28 - Materials Research Society of Japan Award for Encouragement of Research of Materials Science
- 2005/10/20 - 応用物理学会 中国四国支部 応用物理学会 支部学術講演会発表奨励賞
- 2005/04/13 - IEEE, The EDS Kansai Chapter 2005 IMFEDK Best Student Award
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Association Membership(s) (5)：
薄膜・表面物理分科会
, 日本表面科学会
, 日本真空学会
, 応用物理学会
, シリコンテクノロジー分科会
