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J-GLOBAL ID:201801013673074491
Update date: Sep. 19, 2024 MORIYAMA Satoshi
モリヤマ サトシ | MORIYAMA Satoshi
Affiliation and department: Job title:
Professor
Homepage URL (2): https://researchmap.jp/moriyama_satoshi/?lang=japanese
,
https://researchmap.jp/moriyama_satoshi/?lang=en Research field (6):
Nanostructure physics
, Applied materials
, Electric/electronic material engineering
, Nano/micro-systems
, Electronic devices and equipment
, Applied physics - general
Research keywords (12):
原子層物質
, ナノエレクトロニクス
, 量子輸送
, 量子コンピュータ
, 超伝導
, ナノワイヤ
, カーボンナノチューブ
, 半導体物性
, 量子ホール効果
, 量子ドット
, メゾスコピック系
, グラフェン
Research theme for competitive and other funds (19): - 2018 - 2028 シリコン量子ビットによる量子計算機向け大規模集積回路の実現
- 2021 - 2025 原子層超格子構造によるトポロジカル伝導の創出と制御
- 2018 - 2024 シリコン技術に立脚した室温動作スピン量子ビット
- 2019 - 2022 集積度の飛躍的な向上を目指した有機負性抵抗トランジスタの開発
- 2020 - 2021 原子層物質ヘテロ積層化技術を用いた相変化メモリデバイスの開発
- 2017 - 2020 シリコン量子ビット集積化に向けたスピン結合基本技術の創製
- 2016 - 2020 チップ上・高速・高集積ナノカーボン光電子素子開発と光インターコネクト応用
- 2018 - 2019 グラフェン超格子構造におけるバレー流の伝動機構の解明と量子素子応用に関する研究
- 2016 - 2019 シリコントンネルトランジスタの量子ドットデバイス応用に関する研究
- 2013 - 2016 相対論的単一粒子制御素子における電子軌道の観測と電磁波応答に関する研究
- 2010 - 2016 エレクトロクロミック型カラー電子ペーパー
- 2014 - 2015 2次元原子膜材料の微細構造制御と電子デバイス応用に関する研究
- 2012 - 2014 単一ディラック粒子制御素子の開発
- 2010 - 2013 グラフェンを用いた集積化量子ドット素子の開発と電子輸送ダイナミクスに関する研究
- 2010 - 2012 グラフェンの原子スケール量子伝導制御に関する研究
- 2008 - 2010 低次元グラファイトの3次元的ナノ構造制御技術の開発とその量子輸送現象の研究
- 2008 - 2009 グラファイト層間化合物の超薄膜化と低次元電子輸送現象に関する研究
- 2008 - 2009 ナノ微細加工を用いたグラフェン量子ドットの作製とその電子輸送に関する研究
- 2006 - 2008 カーボンナノチューブ/化合物半導体複合単一電子デバイスの開発
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Papers (86): -
Yoshisuke Ban, Kimihiko Kato, Shota Iizuka, Shigenori Murakami, Koji Ishibashi, Satoshi Moriyama, Takahiro Mori, and Keiji Ono. Introduction of deep level impurities, S, Se, and Zn, into Si wafers for high-temperature operation of a Si qubit. Japanese Journal of Applied Physics. 2023. 62. {SC}. SC1054-1-SC1054-5
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Yoshisuke Ban, Kimihiko Kato, Shota Iizuka, Shigenori Murakami, Satoshi Moriyama, Koji Ishibashi, Takahiro Mori, and Keiji Ono. Introduction of deep impurity levels of S and Zn and high temperature single-electron transport in Si tunnel FETs. Extended Abstracts of the 2022 International Conference on Solid State Devices and Materials. 2022
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Shu Nakaharai, Takuya Iwasaki, Yoshifumi Morita, Satoshi Moriyama, Shinichi Ogawa. Electron transport tuning of graphene by helium ion irradiation. Nano Express. 2022. 3. 024002
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Takuya Iwasaki, Motoi Kimata, Yoshifumi Morita, Shu Nakaharai, Yutaka Wakayama, Eiichiro Watanabe, Daiju Tsuya, Kenji Watanabe, Takashi Taniguchi, and Satoshi Moriyama. Transport properties in folded bilayer-bilayer graphene/hexagonal boron nitride superlattices under high magnetic fields. Extended Abstracts of the 2021 International Conference on Solid State Devices and Materials. 2021. 445-446
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Takuya Iwasaki, Satoshi Moriyama, Nurul Fariha Ahmad, Katsuyoshi Komatsu, Kenji Watanabe, Takashi Taniguchi, Yutaka Wakayama, Abdul Manaf Hashim, Yoshifumi Morita, and Shu Nakaharai. Localization to delocalization probed by magnetotransport of hBN/graphene/hBN stacks in the ultra-clean regime. Scientific Reports. 2021. 11. 1. 18845
more... MISC (8): -
岩﨑拓哉,小松克伊,守田佳史,森山悟士. hBN/グラフェン超格子の量子輸送: バレーホール効果から単電子トランジスタまで. 固体物理. 2021. 56. 3. 131-143
- 大野圭司, 森 貴洋, 森山悟士. シリコン量子ビットの高温動作. 日本物理学会誌. 2020. 75. 8. 472-477
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笹間陽介,小松克伊,森山悟士,井村将隆,寺地徳之,渡邊賢司,谷口 尚,内橋 隆,山口尚秀. hBNヘテロ界面を用いた高移動度ダイヤモンド電界効果トランジスタ. NEW DIAMOND. 2019. 134. 35(No.3). 9-15
-
Satoshi Moriyama, Yoshifumi Morita, Katsuyoshi Komatsu, Kosuke Endo, Takuya Iwasaki, Shu Nakaharai, Yutaka Noguchi, Yutaka Wakayama, Eiichiro Watanabe, Daiju Tsuya, et al. Observation of superconductivity in bilayer graphene/hexagonal boron nitride superlattices. 2019
- 森山 悟士. 【注目の新素材】 グラフェンのポテンシャルと応用可能性. 研究開発リーダー. 2011. 8. 8. 20-22
more... Patents (6): Books (3): - 技術シーズを活用した研究開発テーマの発掘
技術情報協会 2013
- 2013 ナノカーボン技術大全
株式会社電子ジャーナル 2012
- 量子ドットエレクトロニクスの最前線
株式会社エヌ・ティー・エス 2011
Lectures and oral presentations (280): -
二層-二層グラフェン/hBN超格子素子のキャリア輸送特性
(2023年第70回応用物理学会春季学術講演会 2023)
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スピンブロッケードを用いた室温動作量子磁気センサー感度の向上
(2023年第70回応用物理学会春季学術講演会 2023)
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グラフェンpn接合アンテナ構造による光検出素子の作製と評価
(2023年第70回応用物理学会春季学術講演会 2023)
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Introduction of deep impurity levels of S and Zn and high temperature single-electron transport in Si tunnel FETs
(SSDM 2022, 2022 International Conference on Solid State Devices and Materials 2022)
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グラファイト/MoTe<SUB>2</SUB>/グラファイト積層構造の作製と電気伝導特性評価
(2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会 2022)
more... Professional career (1): Committee career (6): - 2022/01 - 現在 応用物理学会 プログラム編集委員
- 2016 - 2016 The 2016 Compound Semiconductor Week (CSW2016), Program Committee ISCS Subcomittees: Physics, spintronics, and novel device concepts
- 2013 - 2013 NIMS Conference 2013, Program Committee Committee member
- 2013 - 2013 NIMS Award 2013, Nomination Working Group Group member
- 2011/10 - 2012/09 日本物理学会 領域4運営委員
- 2011 - 2011 Graphene Workshop in Tsukuba 2011, Organizing committee Committee member
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Awards (8): - 2023/02 - 東京電機大学 研究・産官学連携貢献賞
- 2022/04 - IOP Publishing IOP Outstanding Reviewer Awards 2021
- 2022/02 - 東京電機大学 研究・産官学連携貢献賞
- 2021/02 - 東京電機大学 研究・産官学連携貢献賞
- 2008/01 - 理化学研究所 平成17年度採用基礎科学特別研究員成果発表会ポスター賞
- 2006/02 - 手島工業教育資金団 第31回手島記念研究賞(博士論文賞)
- 2006/02 - 井上科学振興財団 第22回 井上研究奨励賞
- 2005/03 - 応用物理学会 第17回 応用物理学会講演奨励賞
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Association Membership(s) (2):
THE JAPAN SOCIETY OF APPLIED PHYSICS
, THE PHYSICAL SOCIETY OF JAPAN
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