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J-GLOBAL ID：200902122393316861   Reference number：01A0486678

Thin Film Transistor of ZnO Fabricated by Chemical Solution Deposition.

化学溶液堆積によって作製したZnOの薄膜トランジスタ

Author (4)： OHYA Y (Gifu Univ., Gifu, JPN) ,  NIWA T (Gifu Univ., Gifu, JPN) ,  BAN T (Gifu Univ., Gifu, JPN) ,  TAKAHASHI Y (Gifu Univ., Gifu, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Brief Communications & Review Papers)
Volume： 40  Issue： 1  Page： 297-298  Publication year： Jan. 15, 2001 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *zinc oxide ,...

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JST classification (2)： Oxide thin films  (BK14050P) ,  Transistors  (NC03070N)

Reference (7)：

• 1) H. Sato, T. Minami, S. Takata and T. Yamada: Thin Solid Films 236 (1993) 27.
• 2) Y. Ohya, M. Ueda and Y. Takahashi: Jpn. J. Appl. Phys. 35 (1996) 4738.
• 3) Y. Ohya, H. Koyama, T. Ban and Y. Takahashi: Mater. Sci. Eng. B 54 (1998) 55.
• 4) M. Sugiura, K. Uragou, M. Noda, M. Tachiki and T. Kobayashi: Jpn. J. Appl. Phys. 38 (1999) 2675.
• 5) A. Kudo, H. Yanagi, Y. Yano, K. Ueda, H. Hosono and H. Kawazoe: Appl. Phys. Lett. 75 (1999) 2851.

Terms in the title (4)： 化学溶液堆積 ,  作製 ,  ZnO ,  薄膜トランジスタ