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J-GLOBAL ID：200902125557351956   Reference number：97A0852692

Fabrication of silicon dioxide thin film with high purity ozone and its characterization by XPS and SHG.

高純度オゾンによるシリコン酸化膜の作製と評価

Author (5)： ICHIMURA SHINGO (電総研) ,  NAKAMURA KEN (電総研) ,  KUROKAWA AKIRA (電総研) ,  NONAKA HIDEHIKO (電総研) ,  MURAKAMI HIROSHI (電総研)
Material： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
Volume： 97  Issue： 220(CPM97 52-60)  Page： 13-18  Publication year： Aug. 04, 1997 
JST Material Number： S0532B  ISSN： 0913-5685  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： Ozone ,...

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JST classification (2)： Materials of solid-state devices  (NC03020K) ,  Oxide thin films  (BK14050P)

Reference (6)：

• HOSOKAWA, S. Rev. Sci. Instrum. 1991, 62, 1614
• ICHIMURA, S. J. Vac. Sci. Technol. A. 1991, 9, 2369
• KUROKAWA, A. Appl. Surf. Sci. 1996, 100, 101, 436
• KUROKAWA, A. Jpn. J. Appl. Phys. 1995, 34, L1606
• NAKAMURA, K. Surf. Interf. Anal. 1997, 25, 88

Terms in the title (5)： 高純度 ,  オゾン ,  シリコン酸化膜 ,  作製 ,  評価