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J-GLOBAL ID：200902146514034369   Reference number：02A0493928

Interface Reaction of a Silicon Substrate and Lanthanum Oxide Films Deposited by Metalorganic Chemical Vapor Deposition.

有機金属化学気相成長によって積層させたランタン酸化物とシリコン基板の界面反応

Author (3)： YAMADA H (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  SHIMIZU T (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  SUZUKI E (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters & Express Letters)
Volume： 41  Issue： 4A  Page： L368-L370  Publication year： Apr. 01, 2002 
JST Material Number： F0599B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *lanthanum compound ,...

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JST classification (2)： Oxide thin films  (BK14050P) ,  Diffusion in solids in general  (BL06021L)

Reference (11)：

• 1) G. D. Wilk, R. M. Wallace and J. M. Anthony: J. Appl. Phys. 89 (2001) 5243.
• 2) M. Copel, M. Griebelyuk and E. Cusev: Appl. Phys. Lett. 76 (2000) 436.
• 3) W.-J. Oi, R. Nieh, B. H. Lee, L. Kang, Y. Jeon and J. C. Lee: Appl. Phys. Lett. 77 (2000) 3269.
• 4) G. D. Wilk and R. M. Wallace: Appl. Phys. Lett. 74 (1999) 2854.
• 5) A. Chin, Y. H. Wu, S. B. Chen, C. C. Liao and W. J. Chen: Proc. 2000 Symp. VLSI Technology (IEEE, Piscataway, 2000) p. 16.

Terms in the title (5)： 有機金属化学 ,  気相成長 ,  ランタン酸化物 ,  シリコン基板 ,  界面反応