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J-GLOBAL ID：200902156138207481   Reference number：97A0137472

Interfacial Reaction and Silicide Formation in Pd/a-Si:H Layered Films.

Pd/a-Si:H積層膜における界面反応とシリサイドの形成機構

Author (5)： HONMA KAZUAKI (東京電機大 工) ,  KOIKE TOORU (東京電機大 工) ,  ANDO SHIN'ICHI (東京電機大 工) ,  ADACHI KUMI (東京電機大 工) ,  MOTOHASHI MITSUYA (東京電機大 工)
Material： 電子情報通信学会論文誌 C-2  (Transactions of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers. C-2)
Volume： 79  Issue： 12  Page： 721-730  Publication year： Dec. 1996 
JST Material Number： L0196A  ISSN： 0915-1907  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： laminate structure ,...

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JST classification (1)： Other noncatalytic reactions  (CB06070U)

Reference (14)：

• MURARKA, S. P. Refractory silicides for integrated circuits. J. Vac. Sci. Technol. 1980, 17, 4, 775-792
• 財満鎮明. 金属/シリコン界面におけるシリサイド形成と抵抗コンタクト. 応用物理. 1994, 63, 11, 1093-1105
• COULMAN, B. KInetics of Pd_2Si layer growth measued by an X-ray diffraction technique. J. Appl. Phys. 1986, 50, 10, 3467-3474
• LITTLE, T. W. In situ X-ray diffraction measurement of Pd_2Si transformation kinetics using a linear position-sensitive detector. J. Appl. Phys. 1988, 63, 4, 1182-1190
• EDELAN, F. Interfacial reactions in the Pd/a-Si/c-Si system. J. Appl. Phys. 1992, 71, 1, 289-295

Terms in the title (5)： PD ,  Si ,  積層膜 ,  界面反応 ,  シリサイド